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6月18日，德州儀器（Texas Instruments Inc., TI）正式宣布，將在未來數年內投入超過600億美元，用于擴建其位于得克薩斯州和猶他州的半導體制造基地。這一投資規模刷新了美國成熟制程芯片制造領域的紀錄，被視為對特朗普政府推動本土芯片制造政策的直接響應。 七座晶圓廠布局：覆蓋300毫米產能與先進制程 根據計劃，德州儀器將在得克薩斯州謝爾曼新建兩座300毫米晶圓廠（SM3和SM4），并擴建已有工廠（SM1和SM2），使謝爾曼基地總投資額提升至400億美元。其中，SM1已進入初步生產階段，SM2外部結構完工，而SM3和SM4將聚焦未來需求。此外，猶他州李海基地的兩座晶圓廠（LFAB1和LFAB2）也將獲得重點投資：LFAB1已投產，LFAB2建設進展順利，二者將共同支持65納米至45納米技術節點的模擬與嵌入式芯片生產。 在得克薩斯州理查森，德州儀器第二座300毫米晶圓廠RFAB2正持續提升產能，其基于全球首座300毫米模擬晶圓廠RFAB1的技術積累，將進一步鞏固TI在工業、汽車和通信領域的優勢。 政策與市場雙驅動：稅收優惠與供應鏈安全成關鍵 德州儀器此次投資正值美國政府強化半導體供應鏈安全之際。2024年12月，拜登政府依據《芯片與科學法案》向TI提供16.1億美元補貼，支持其建設三處新設施。盡管特朗普政府曾對《芯片法案》提出批評，但德州儀器仍選擇加速本土擴產。公司總裁兼首席執行官Haviv Ilan表示：“TI致力于構建可靠、低成本的300毫米產能，以滿足全球對模擬和嵌入式處理芯片的需求。蘋果、福特、SpaceX等客戶均依賴我們的技術，這一投資將釋放美國創新的潛力。” 值得關注的是，TI的擴產計劃與客戶需求高度綁定。例如，SpaceX明確表示，其星鏈（Starlink）衛星互聯網服務正采用TI在謝爾曼制造的300毫米鍺硅（SiGe）技術，以實現高速數據傳輸。此外，TI的模擬芯片廣泛用于汽車電子、醫療設備和工業控制系統，其擴產被視為應對中國競爭對手在基礎半導體領域崛起的重要舉措。 行業趨勢：半導體軍備競賽升級 德州儀器的擴產計劃標志著美國半導體產業“回流”進入新階段。除TI外，格羅方德、臺積電和美光科技等企業也宣布了新增投資。例如，三星電子在得克薩斯州泰勒市投資370億美元建設兩座邏輯芯片廠，并獲得47.45億美元《芯片法案》補貼。分析人士指出，美國政府通過稅收抵免和直接補貼，正試圖重構全球半導體供應鏈，減少對亞洲產能的依賴。 |
