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芯片制造業計算負載提速 40-60 倍,臺積電和新思科技推進部署英偉達 cuLitho 平臺

發布時間:2024-3-19 08:33    發布者:eechina
來源:IT之家

英偉達今天發布新聞稿,宣布臺積電和新思科技(Synopsys)正推進部署使用英偉達的計算光刻平臺,以加速制造并推動下一代先進半導體芯片的物理極限。

臺積電和新思科技已決定在其軟件、制造工藝和系統中集成英偉達的 cuLitho 計算光刻平臺,加快芯片制造速度,并在未來支持最新一代英偉達 Blackwell 架構 GPU。

黃仁勛在 GTC 開發者大會上表示:“計算光刻技術是芯片制造的基石。我們與臺積電、Synopsys 合作開發的 cuLitho 應用了加速計算和生成式人工智能,為半導體規模化開辟了新的領域。”

英偉達還推出了全新的生成式人工智能算法,增強了用于 GPU 加速計算光刻技術的庫 cuLitho,相比較目前基于 CPU 的方法,顯著改善了半導體制造工藝。

IT之家注:半導體制造過程中,計算光刻是最密集的工作負載,每年耗費 CPU 數百億小時。

芯片生產的關鍵步驟之一,就是需要耗費 3000 萬小時的 CPU 時間來計算典型的掩模集,因此半導體代工廠通常會建立大型數據中心。

英偉達表示 350 個英偉達 H100 系統現在可以取代 40,000 個 CPU 系統,從而加快了生產時間,同時降低了成本、空間和功耗。

英偉達表示 cuLitho 的優勢已經在臺積電生產過程中顯現,兩家公司共同實現了曲線流程速度(curvilinear flows)提高 45 倍,傳統的曼哈頓式流程(traditional Manhattan-style flows)提高近 60 倍。

英偉達開發了應用生成式人工智能的算法,以進一步提升 cuLitho 平臺的價值。在通過 cuLitho 實現的加速流程基礎上,新的生成式人工智能工作流程還能額外提高 2 倍的速度。

通過應用生成式人工智能,可以創建近乎完美的反向掩膜或反向解決方案,以考慮光的衍射。然后通過傳統的嚴格物理方法得出最終光罩,從而將整個光學近似校正(OPC)流程的速度提高了兩倍。

目前,晶圓廠工藝中的許多變化都需要修改 OPC,從而增加了所需的計算量,并在晶圓廠開發周期中造成了瓶頸。cuLitho 提供的加速計算和生成式人工智能可減輕這些成本和瓶頸,使工廠能夠分配可用的計算能力和工程帶寬,在開發 2 納米及更先進的新技術時設計出更多新穎的解決方案。
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