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曝光技術(shù)大進(jìn)展!三星稱關(guān)鍵材料EUV光罩掩膜“透光率達(dá)90%”

發(fā)布時(shí)間:2023-12-5 10:41    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 曝光技術(shù) , 三星 , EUV , 光罩掩膜 , 透光率
來源:科技新報(bào)

三星電子在EUV曝光技術(shù)取得重大進(jìn)展,韓媒BusinessKorea報(bào)導(dǎo),三星電子DS部門研究員Kang Young-seok表示,三星使用的EUV光罩掩膜(EUV pellicles)透光率(transmission rate)已達(dá)90%,計(jì)劃再提高至94-96%。

EUV光罩掩膜(Pellicle)是光罩上的薄膜,保護(hù)光罩免于微塵或揮發(fā)性氣體的污染,使EUV順利傳輸。光罩掩膜也是EUV曝光時(shí)的關(guān)鍵零件,目的是增加芯片生產(chǎn)良率,減少光罩使用時(shí)的清潔和檢驗(yàn)。

三星今年初聲稱已開發(fā)出透光率達(dá)88%的EUV光罩掩膜,且這款產(chǎn)品已經(jīng)可以量產(chǎn),而Kang表示三星EUV掩膜透光率再度增加,達(dá)到90%。其中,透光率90%的意思是只有90%進(jìn)入薄膜的光線能到達(dá)光罩,這可能會(huì)影響電路圖案的精度。這比更常見的氟化氬(ArF)制程中使用的薄膜透光率(99.3%)還低。

當(dāng)EUV光罩掩膜在250瓦光源下操作時(shí),每平方公分會(huì)產(chǎn)生的5瓦熱量,導(dǎo)致溫度高達(dá)680℃以上,因此除了降低光源衰退外,還必須解決光罩掩膜在EUV過程中遇到的翹曲或斷裂等散熱問題。

據(jù)報(bào)導(dǎo),三星已主要客戶的部分先進(jìn)EUV代工生產(chǎn)線上導(dǎo)入EUV光罩掩膜。雖然三星也在DRAM生產(chǎn)線中采用EUV制程,但考慮到生產(chǎn)率和成本,該公司認(rèn)為即使沒有光罩掩膜也可以進(jìn)行存儲(chǔ)器量產(chǎn)。

EUV光罩掩膜目前有ASML、三井化學(xué)(Mitsui Chemicals)、信越化學(xué)、S&S Tech、FST等業(yè)者跨足,但據(jù)Kang透露,三星并沒有使用韓國國內(nèi)供應(yīng)商提供的EUV光罩掩膜,而是與日本三井化學(xué)合作,為唯一供應(yīng)商。

雖然FST和S&STech等韓國公司正積極開發(fā)EUV光罩掩膜,但還沒實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。相比之下,臺(tái)積電早在2019年開始使用自行開發(fā)的光罩掩膜,并已在7nm以下制程的生產(chǎn)線使用。
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