|
9月3日，SK海力士正式宣布將全球首款量產型高數值孔徑極紫外光刻機（High NA EUV）TWINSCAN EXE:5200B引入韓國利川M16工廠，并舉行盛大的設備入廠儀式。 技術突破：分辨率提升至8nm，集成度躍升2.9倍 此次引進的ASML EXE:5200B設備采用全球領先的0.55數值孔徑（NA）光學系統，較現有EUV設備（NA 0.33）性能提升40%。其核心優勢在于可實現8nm級分辨率，電路圖案繪制精密度達前代1.7倍，單芯片集成度提升2.9倍。據技術專家解析，NA值的提升使透鏡匯聚光線能力顯著增強，相當于將顯微鏡的放大倍數與清晰度同步升級，從而在晶圓上刻畫出更細密的電路結構。 戰略意義：鞏固AI存儲器技術領導地位 SK海力士未來技術研究院院長車宣龍在儀式上強調："該設備將簡化現有EUV工藝流程，加速下一代存儲器研發進程。"作為全球HBM（高帶寬內存）市場的領導者，SK海力士近期剛完成HBM3E的量產交付，其1.18TB/s的數據處理速度已創行業紀錄。而High NA EUV的引入，將助力公司開發更先進的1γ（1-gamma）制程DRAM及千層級3D NAND閃存，滿足AI訓練對存儲器容量與能效的嚴苛需求。 產業影響：重塑全球半導體供應鏈格局 ASML韓國公司總經理金丙燦透露，High NA EUV設備年產能僅5-6臺，單臺成本超26億元人民幣。此前英特爾曾包攬2025年上半年全部產能，SK海力士此次突破性引進，彰顯其技術投入的決心與供應鏈協同能力。行業分析師指出，此舉將幫助SK海力士在2026年后量產的1γ DRAM上實現30%的能效提升，同時降低單位存儲成本，強化其在數據中心、自動駕駛等高增長市場的競爭力。 生態協同：MR-MUF封裝技術再升級 配合先進光刻設備，SK海力士同步優化了芯片封裝工藝。其獨有的Advanced MR-MUF技術通過改進液態保護材料注入方式，使HBM3E的散熱效率較前代提升10%。這種"精密制造+高效封裝"的組合拳，使得單顆HBM3E芯片可支持每秒230部全高清電影的數據傳輸，為生成式AI大模型訓練提供硬件支撐。 未來展望：瞄準2030技術愿景 SK海力士制造技術擔當李秉起副社長透露，M16工廠將基于High NA EUV設備構建"無人化智能產線"，通過數字孿生技術實現制程參數的實時優化。公司計劃到2030年將EUV技術覆蓋90%以上的先進存儲產品，并在3D NAND領域挑戰500層堆疊技術。隨著今日設備的正式入場，全球存儲產業正式進入"亞納米級"競爭新階段。 |
