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來源：科技新報 三星電子在EUV曝光技術取得重大進展，韓媒BusinessKorea報導，三星電子DS部門研究員Kang Young-seok表示，三星使用的EUV光罩掩膜（EUV pellicles）透光率（transmission rate）已達90%，計劃再提高至94-96%。 EUV光罩掩膜（Pellicle）是光罩上的薄膜，保護光罩免于微塵或揮發性氣體的污染，使EUV順利傳輸。光罩掩膜也是EUV曝光時的關鍵零件，目的是增加芯片生產良率，減少光罩使用時的清潔和檢驗。 三星今年初聲稱已開發出透光率達88%的EUV光罩掩膜，且這款產品已經可以量產，而Kang表示三星EUV掩膜透光率再度增加，達到90%。其中，透光率90%的意思是只有90%進入薄膜的光線能到達光罩，這可能會影響電路圖案的精度。這比更常見的氟化氬（ArF）制程中使用的薄膜透光率（99.3%）還低。 當EUV光罩掩膜在250瓦光源下操作時，每平方公分會產生的5瓦熱量，導致溫度高達680℃以上，因此除了降低光源衰退外，還必須解決光罩掩膜在EUV過程中遇到的翹曲或斷裂等散熱問題。 據報導，三星已主要客戶的部分先進EUV代工生產線上導入EUV光罩掩膜。雖然三星也在DRAM生產線中采用EUV制程，但考慮到生產率和成本，該公司認為即使沒有光罩掩膜也可以進行存儲器量產。 EUV光罩掩膜目前有ASML、三井化學（Mitsui Chemicals）、信越化學、S&S Tech、FST等業者跨足，但據Kang透露，三星并沒有使用韓國國內供應商提供的EUV光罩掩膜，而是與日本三井化學合作，為唯一供應商。 雖然FST和S&STech等韓國公司正積極開發EUV光罩掩膜，但還沒實現量產。相比之下，臺積電早在2019年開始使用自行開發的光罩掩膜，并已在7nm以下制程的生產線使用。 |
