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9月28日，俄羅斯計算機與數據科學博士德米特里·庫茲涅佐夫（Dmitrii Kuznetsov）通過社交平臺X披露了俄羅斯科學院微結構物理研究所（IPM RAS）主導的極紫外（EUV）光刻機長期研發路線圖。這份從2026年啟動、延續至2037年的計劃，以11.2納米波長為核心技術方向，通過差異化路徑突破全球光刻設備技術壟斷，引發半導體行業廣泛關注。 技術路徑：規避ASML架構的顛覆性設計 與荷蘭ASML公司主導的13.5納米波長EUV技術不同，俄羅斯方案采用混合固態激光器與氙氣等離子體光源，核心光學部件為釕和鈹（Ru/Be）制成的反射鏡。這一設計旨在解決ASML設備中錫液滴光源產生的碎屑污染問題——ASML設備通過激光轟擊錫滴產生13.5納米EUV光，但錫碎屑會損傷光掩模，導致維護成本高昂。而俄羅斯的氙氣光源可消除碎屑，理論上降低維護需求并延長關鍵零件壽命。 此外，俄羅斯方案通過簡化設計規避了深紫外（DUV）光刻所需的高壓浸沒液與多重圖形化步驟，試圖降低先進制程的技術門檻。研發團隊聲稱，11.2納米波長可將分辨率提升20%，并可能啟用含硅光刻膠以降低成本。 
三階段路線圖：從40納米到亞10納米 路線圖將研發劃分為三個階段，每階段均明確技術指標與產能目標： 第一階段（2026-2028年）：推出支持40納米工藝的光刻機，配備雙反射鏡物鏡系統，套刻精度達10納米，曝光場3×3毫米，每小時吞吐量超5片晶圓。該階段目標與俄羅斯當前半導體產業基礎適配——其剛于2025年實現350納米光刻機量產，正推進130納米設備研發。 第二階段（2029-2032年）：升級至四反射鏡光學系統，主攻28納米制程（兼容14納米），套刻精度提升至5納米，曝光場擴展至26×0.5毫米，每小時吞吐量超50片晶圓。此階段設備性能逐步接近商業化需求。 第三階段（2033-2036年）：面向亞10納米制程，搭載六反射鏡配置，套刻精度達2納米，曝光場擴大至26×2毫米，每小時吞吐量超100片晶圓。盡管這一效率僅為ASML設備的一半，但俄羅斯明確設備定位為小型代工廠的高性價比解決方案，而非超大規模晶圓廠的極限產能。 挑戰與爭議：非標準波長的生態重構 俄羅斯方案的核心爭議在于11.2納米波長的技術選擇。全球EUV產業已形成13.5納米標準生態，鉬硅（Mo/Si）反射鏡在此波段可實現70%反射率，并擁有完整產業鏈支持。而俄羅斯需重建全套配套體系，包括專用光刻膠、鏡片拋光工具、光學檢測設備等，這些關鍵技術未在路線圖中提及解決方案。 從產業基礎看，俄羅斯雖在EUV核心技術領域有一定積累——如圣彼得堡國立信息技術大學在激光器研究、微結構物理研究所在多層膜反射鏡等領域具備技術儲備，且曾為ASML提供關鍵光學元件——但這些成果多停留在實驗室階段，缺乏產業化驗證。其當前最高僅能量產350納米光刻機，與EUV設備所需的超精密制造能力存在代際差距。 行業評價：創新勇氣與現實挑戰并存 業界對俄羅斯路線圖評價兩極分化。支持者認為，其通過技術重構規避了ASML復雜且高昂的技術體系，若能成功落地，將以顯著更低的資本與運營成本實現先進芯片本土制造。批評者則指出，11.2納米波長的非標準性導致生態系統重建難度極大，且俄羅斯當前產業基礎難以支撐EUV設備所需的超精密制造能力。 盡管挑戰重重，這份路線圖仍展現了俄羅斯在半導體領域尋求自主創新的決心。正如庫茲涅佐夫所言：“我們選擇的不是最容易的路，但這是實現技術主權唯一的路。”隨著2026年首臺設備研發進入倒計時，全球半導體產業將密切關注這場技術突圍戰的進展。 |
