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近日，美光科技有限公司（Micron）和英特爾公司發布雙方聯合研發的世界上密度最大的3D NAND閃存技術。閃存是在最輕的筆記本電腦、最快的數據中心和幾乎所有手機、平板電腦和移動設備中使用的存儲技術。 這一最新的3D NAND技術由英特爾和美光聯合開發，以卓越的精度垂直堆疊了多層數據存儲單元，利用該技術制成的存儲設備的容量將比由與之競爭的NAND技術所打造出的設備容量高三倍[1]。該技術可以在更小的空間內實現更大的存儲容量，為眾多消費類移動設備和最為嚴苛的企業級部署帶來顯著的成本節約、能耗降低和性能提升。 平面NAND閃存已接近其擴展極限，為存儲行業帶來了巨大的挑戰。摩爾定律展示了性能的持續提升和成本的不斷下降的軌跡，3D NAND技術通過保持閃存存儲解決方案和摩爾定律的一致性，將推動閃存的更廣泛采用，并產生巨大影響。 美光科技有限公司存儲技術與解決方案副總裁Brian Shirley說：“美光與英特爾的合作誕生了業界領先的固態存儲技術，提供了極高的密度、性能和效率，是當今任何其他閃存都無法比擬的。這一3D NAND技術具備引發市場重大變革的潛能。從智能手機一直到進行了閃存優化的超級計算，閃存到目前為止所產生的影響還僅僅只是一個開始。” “英特爾與美光的開發成就體現了我們一直致力于為市場提供領先且創新的非易失性存儲技術的承諾。我們的全新3D NAND技術創新在密度和成本方面都取得了巨大進步，將加速固態存儲在計算平臺領域的應用。” 英特爾非易失性存儲解決方案集團高級副總裁兼總經理Rob Crooke表示。 創新工藝架構 此項技術的一大重要方面是基礎存儲單元。英特爾和美光選擇使用了浮柵單元，這種被普遍采用的設計在長年大批量平面閃存的生產中進行了改進。這是首次在3D NAND中使用浮柵單元，這一關鍵的設計選擇可實現更高的性能，同時提升質量和可靠性。 全新的3D NAND技術將閃存單元垂直堆疊32層，可在標準封裝內實現256Gb多層單元（MLC）和384Gb三層單元（TLC）芯片，由此可使口香糖大小的固態硬盤具備超過3.5TB的存儲容量，以及使標準2.5英寸固態硬盤具備超過10TB的容量。由于容量可通過垂直堆疊單元來獲得，單個單元的尺寸就能變得相當大——這將有望提升性能和耐久性，甚至可讓TLC設計也能很好地適用于數據中心存儲。 3D NAND設計的主要產品特性包括： • 大容量——是現有3D技術容量的三倍—每個芯片高達48GB的NAND——因此可在指尖大小的封裝內實現3/4TB的容量。 • 更低的單位GB成本——第一代3D NAND相較平面NAND達到了更好的成本效率。 • 快速——高讀取/寫入帶寬、I/O速度和隨機讀取性能。 • 環�！滤吣Ｊ酵ㄟ^切斷不活躍NAND晶粒的電源（甚至是在同一封裝內的其他晶粒處于活躍狀態時），在待機模式下顯著減少能耗。 • 智能——與前幾代產品相比，創新的新特性改善了延遲并提高了耐久性，同時也讓系統集成更加容易。 256Gb MLC版本的3D NAND當前已向部分合作伙伴提供樣品，384Gb TLC版本的樣品將于今年春末提供。目前，晶圓廠生產線已開始初步生產，并將于今年第四季度全面投產這兩件設備。美光與英特爾也正在分別開發基于3D NAND技術的全新固態硬盤解決方案，并預計在2016年推出相關產品。 |
