2月21日，存儲技術領域的兩大巨頭——鎧俠（Kioxia）與閃迪（SanDisk）在國際固態電路會議（ISSCC 2025）上攜手發布了一項重大技術突破：第十代BiCS FLASH閃存技術。這一創新技術的發布，標志著存儲行業在速度、功耗及存儲密度方面邁入了全新的發展階段。
據悉，第十代BiCS FLASH閃存技術采用了先進的CMOS直接鍵合到陣列（CBA）技術，將每個CMOS晶圓和單元陣列晶圓單獨制造后粘合在一起。這一技術的運用，使得閃存芯片在結構上更加緊湊，性能更加卓越。同時，鎧俠與閃迪還引入了最新的Toggle DDR6.0接口標準和SCA協議，將NAND I/O接口速度從上一代的3.6Gbps提升至4.8Gbps，實現了33%的性能提升。 除了速度上的顯著提升，第十代BiCS FLASH閃存技術在功耗控制方面也取得了顯著成果。通過引入PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術，該技術在數據輸入/輸出過程中實現了顯著的功耗降低，其中輸入功耗減少了10%，輸出功耗更是降低了34%。這一功耗性能的提升，不僅有助于延長設備的續航時間，還降低了對環境的負擔，體現了鎧俠與閃迪在環保方面的積極貢獻。 在存儲密度方面，第十代BiCS FLASH閃存技術同樣表現出色。通過增加閃存層數至332層，并優化晶圓平面布局，該技術使得位密度相較于前代產品提升了59%。這一提升不僅滿足了用戶對更大存儲容量的需求，還為未來更多數據密集型應用的開展提供了基礎保障。 鎧俠與閃迪的首席技術官在發布會上表示，隨著人工智能技術的普及和大數據時代的到來，存儲設備的速度與效率成為企業選擇技術架構時的一項關鍵指標。第十代BiCS FLASH閃存技術的推出，正是對市場需求的積極回應，它將為用戶提供更加高效、可靠的數據存儲解決方案。 |
