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據國外媒體報道，半導體制造商長江存儲（YMTC）近日宣布，已開始正式出貨其第五代3D TLC NAND閃存產品。這款創新的存儲芯片不僅采用了先進的Xtacking 4.0架構，而且在結構上實現了294層堆疊，并擁有232個有源層，標志著長江存儲在3D NAND閃存技術領域的又一重大突破。 長江存儲的第五代3D TLC NAND閃存，通過Xtacking 4.0架構的引入，顯著提升了存儲密度和I/O性能。Xtacking 4.0架構利用了混合鍵合技術，將閃存陣列與CMOS邏輯和接口高效連接，從而優化了存儲單元的布局，最大限度地提高了存儲密度。據業內人士透露，該閃存的位密度已超過20Gb/mm²，雖然略低于鎧俠和西部數據BiCS8 QLC NAND閃存的22.9Gb/mm²，但這一成就已經使長江存儲在全球NAND市場中占據了有力競爭地位。 長江存儲的第五代3D TLC NAND閃存不僅在存儲密度上有所提升，還在讀寫性能和能效方面取得了顯著進步。Xtacking 4.0架構的引入帶來了多項技術創新，如Centered X-DEC芯片設計、背面源極連接（BSSC）、減小垂直柵極間距、20個無虛設孔的垂直通道孔設計等，這些創新共同提升了閃存的性能和可靠性。此外，相對較小的芯片尺寸和增加的位密度也意味著在相同空間內可以存儲更多數據，這對于滿足當前和未來數據存儲需求具有重要意義。 此次長江存儲第五代3D TLC NAND閃存的出貨，不僅是對公司技術實力的證明，也為中國半導體產業的崛起注入了新的動力。隨著技術的不斷進步和市場的不斷拓展，長江存儲有望在全球NAND閃存市場中占據更加重要的位置。 |
