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閃迪（SanDisk）與SK海力士近日聯合宣布，雙方已簽署一份具有里程碑意義的合作備忘錄（MOU），將共同制定高帶寬閃存（High Bandwidth Flash, HBF）的行業規范。這一合作標志著AI存儲技術邁入新階段，旨在通過創新架構突破傳統內存與存儲的瓶頸，為人工智能（AI）推理工作負載提供更高效、更具擴展性的解決方案。 HBF是一種融合3D NAND閃存與高帶寬存儲器（HBM）特性的革命性存儲技術，其設計目標是在保持接近HBM帶寬水平的同時，以顯著更低的成本提供8至16倍的存儲容量。與完全依賴DRAM的傳統HBM方案相比，HBF通過部分采用NAND閃存替代DRAM堆棧，在犧牲極小延遲的前提下實現容量飛躍，并具備非易失性特性，大幅降低能耗。這一技術尤其適用于AI訓練與推理場景中日益增長的數據密集型需求，可有效緩解當前HBM因容量限制導致的高成本與散熱壓力問題。 SK海力士作為全球HBM技術的領導者，在高性能存儲解決方案領域擁有深厚的技術積淀與產業鏈整合能力。其參與HBF標準制定將為這一新興技術注入關鍵的行業經驗，確保HBF與現有GPU、中介層及系統架構的無縫兼容。閃迪則憑借在NAND閃存領域的創新積累，特別是其專有的BiCS NAND技術與晶圓鍵合工藝，為HBF提供了高密度、高可靠性的存儲基礎。雙方通過優勢互補，不僅加速了HBF從概念驗證到商業化落地的進程，更致力于將其塑造為跨廠商的通用標準，避免技術碎片化風險。 根據合作計劃，閃迪目標于2026年下半年推出首批HBF內存樣品，并在2027年初實現搭載該技術的AI推理設備原型驗證。這些設備預計將覆蓋從手持終端到服務器的全場景應用，為邊緣計算與超大規模數據中心提供靈活的內存擴展方案。SK海力士總裁兼首席開發官Hyun Ahn博士表示：“通過與閃迪合作制定HBF規范，我們正積極推動這項創新技術的商業化進程，相信其將成為釋放AI及下一代數據工作負載全部潛力的關鍵。”閃迪執行副總裁兼首席技術官Alper Ilkbahar則強調：“此次合作將滿足人工智能行業對可擴展內存的迫切需求，為全球技術生態提供超越客戶預期的創新工具。” 值得注意的是，HBF的推出直擊當前AI產業的核心挑戰——如何在有限功耗與散熱預算下處理爆炸式增長的數據量。研究表明，大型語言模型（LLM）的推理效率受限于內存容量與帶寬的平衡難題，而HBF通過分層存儲架構（如HBM+閃存混合堆棧）提供了全新思路。盡管NAND閃存的延遲高于DRAM，但其非易失性與高容量特性使其成為冷數據存儲的理想選擇，配合HBM處理熱數據，可顯著優化整體系統效率。 市場分析指出，此次合作或將重塑AI存儲供應鏈格局。三星、美光等頭部廠商均在加速布局HBM4及邏輯芯片集成技術，而閃迪與SK海力士的HBF方案為行業提供了差異化路徑。若未來Nvidia等GPU巨頭采納該標準，HBF有望成為AI基礎設施的標配組件，進一步推動存儲技術的多元化發展。閃迪此前已憑借HBF原型技術榮獲2025年閃存峰會“最具創新力技術”獎，并成立技術顧問委員會指導生態系統建設，彰顯其推動行業標準的決心。 隨著AI應用從云端向邊緣延伸，存儲技術的突破已成為算力升級的關鍵瓶頸。閃迪與SK海力士的此次聯手，不僅為高帶寬存儲開辟了新賽道，更通過開放合作模式為行業提供了可持續發展的范本。業界預計，HBF的標準化進程將加速異構內存堆棧的普及，使DRAM、閃存乃至新型持久內存能夠在AI加速器中共存，最終賦能下一代計算架構突破內存墻限制，迎接通用人工智能時代的到來。 |
