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英飛凌新發布了CoolSiC™ MOSFET Gen2系列產品，單管有D2PAK-7L表貼式和TO-247-4HC高爬電距離通孔式兩種封裝形式。與上一代產品相比，英飛凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Gen2技術在確保質量和可靠性的前提下，進一步提升了MOSFET的主要性能指標，擁有更高的效率和功率密度。Gen2 SiC性價比提高了15%，是各種工業應用的理想之選。 G2主要有以下幾方面優勢： 1、業界最低Rdson*A 單位面積電阻Rdson*A是評價SiC MOSFET技術先進程度的重要性能指標。CoolSiC™ Gen2采用英飛凌獨特的非對稱溝槽柵結構，采用特殊晶面取得最低的界面態密度和氧化層陷阱，保證最高的溝道載流子遷移率，從而盡可能降低導通電阻，非對稱的深P阱形成增強型體二極管，增強了體二極管的抗浪涌能力。G2在G1的基礎上，進一步縮小了元胞尺寸，同時優化了縱向結構及摻雜形貌，單位面積導通電阻業界最低，單芯片最低可達7mΩ。導通電阻Rdson范圍更寬，7mΩ到78mΩ之間共有9檔產品，同時檔位劃分更加細膩。 
2、更低的損耗 CoolSiC™ G2通過改進元胞結構，優化寄生電容，展現了卓越的優值系數（FOM），開關損耗得到了顯著改善，是SiC市場上最優秀的產品之一。 ➤FOM：RDSON*Qg，更低的優值帶來更低的驅動電路損耗
➤FOM：RDSON*QGD，更低的優值在硬開關應用中帶來更低損耗
➤FOM：RDSON*Eoss，更低的優值在輕載工況中帶來更低的損耗
➤FOM：RDSON*QOSS，更低的優值在軟開關應用中帶來更低損耗。
更低的優值使得G2開關損耗更低。因此，在高開關頻率條件下，G2的電流能力更加出眾，性能優于G1和同類競爭對手。
3、更好的熱性能 CoolSiC™ MOSFET G2的最大工作結溫從過去的175攝氏度提高到了200攝氏度，可以在200℃的結溫下累計運行100小時，這意味著客戶有了更大的結溫裕量，可以在過載條件下進行開發設計，這是上一代產品所不能做到的。 除了芯片性能的改進，CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2單管產品全線采用了改進的.XT擴散焊。.XT采用擴散焊技術，與標準焊接相比，極大程度地降低了焊料層厚度，降低了結殼熱阻。與標準焊接技術相比，G2改進的.XT互聯技術能夠降低30%的熱阻，與G1 .XT技術相比，G2改進的.XT擴散焊可以降低7%的熱阻。
4、更高的可靠性 ● 在進一步降低導通電阻的同時，G2依然保留了短路能力。G2單管產品保證2us的短路時間，精心調制退飽和電路能夠使得器件2us之內關斷，從而使系統運行更可靠。 ● 很小的VGS(th)和傳輸特性的離散性以及較低的負溫度系數，可增強并聯操作的可靠性和易用性 ● 增強的抗寄生導通能力，增強了對抗米勒效應的可靠性，允許單極驅動(0V柵極電壓) 5、測試實例 使用G1 IMZA120R030M1H和G2 IMZC120R026M2H以及同等級的競爭產品，在solar boost拓撲中實測進行，diode D1選取1200V肖特基二極管，測試條件如下表所示。
Test Conditions (Buck mode) ● fsw = 60 kHz ● RG = 2.3 Ω, VGS = -3/18V ● VDC = 780 V ● Duty = 60 % ● IDCmax = 21 A ● Tamb = 25°C, Fan cooling 從測試結果可以看出，G2 IMZC120R026M2H最高效率可達99.09%，優于G1及競爭對手。在保持最高效率的同時，G2 IMZC120R026M2H最高結溫也僅有73.4℃，比最惡劣的competitor 3的112.5℃低了將近40℃。
總結 CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技術領先于業界，是速度更快、損耗更小、散熱更好且更加耐用可靠的器件。這為光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源等功率半導體應用領域的客戶帶來了巨大優勢。與前幾代產品相比，采用CoolSiC™ G2的電動汽車直流快速充電站最高可減少10%的功率損耗，并且在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電功率。基于CoolSiC™ G2器件的牽引逆變器可進一步增加電動汽車的續航里程。在可再生能源領域，采用CoolSiC™ G2的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，從而降低每瓦成本。
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