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英飛凌推出75 mΩ工業級CoolSiC 650 V G2系列MOSFET,適用于具備高功率密度需求的中功率應用場景

發布時間:2025-9-22 17:41    發布者:eechina
關鍵詞: MOSFET , CoolSiC
英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)宣布擴展其 CoolSiC 650 V G2 系列 MOSFET產品組合,新增 75 mΩ 規格型號,以滿足市場對更緊湊、更高功率密度系統的需求。該系列器件提供多種封裝選擇,包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此,該產品組合可同時支持頂部冷卻(TSC)與底部冷卻(BSC)兩種散熱方案,為研發人員的設計提供了高度靈活性。此類器件非常適用于中高功率等級的開關模式電源(SMPS),可廣泛應用于多個領域,包括AI服務器、可再生能源系統、電動汽車及電動汽車充電樁、人形機器人充電、電視機以及各類驅動系統。


CoolSiC MOSFET 650 V G2(TOLT封裝版)

CoolSiC 650 V G2 系列 MOSFET 是基于第二代(G2)CoolSiC 技術打造的。相較于上一代產品,其品質因數更優、可靠性更高,且易用性顯著提升。不同封裝類型各具優勢:TOLL 與 ThinTOLL 8x8 封裝在印刷電路板(PCB)上具備出色的熱循環穩定性,有助于實現緊湊的系統設計。應用于SMPS時,這類封裝可減少 PCB 的空間占用,并在系統層面降低制造成本。目前,TOLL 與 ThinTOLL 8x8 封裝的目標應用范圍已進一步擴大,能幫助 PCB 設計人員應對成本降低的挑戰。TOLT 封裝的加入進一步強化了英飛凌不斷壯大的TSC產品組合 —— 該組合目前已涵蓋 CoolMOS 8、CoolSiC、CoolGaN及 Optimos系列產品。采用 TSC 設計的器件其直接散熱效率可實現高達 95%,且允許設計人員充分利用 PCB 的正反兩面,既能提升了空間利用率,又能減少寄生效應。

供貨情況
CoolSiC 650 V G2 系列 75 mΩ 規格的 MOSFET 目前已正式發售,可提供 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3 及 TO247-4 多種封裝類型。了解更多信息,敬請訪問www.infineon.com/coolsic-650v

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