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9月25日，英飛凌科技股份公司（Infineon）與羅姆（ROHM）聯(lián)合宣布，雙方已正式簽署諒解備忘錄，旨在建立碳化硅（SiC）功率器件封裝合作機制。這一突破性合作將推動雙方在特定SiC功率器件封裝領域互為第二供應商，為車載充電器、可再生能源、儲能系統(tǒng)及AI數(shù)據(jù)中心等高端應用場景的客戶提供更靈活的采購選擇與設計兼容性。 根據(jù)合作內容，羅姆將采用英飛凌創(chuàng)新的SiC頂部散熱平臺，包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK等封裝類型。該平臺通過統(tǒng)一2.3mm的標準化高度，顯著簡化散熱設計流程，降低系統(tǒng)成本，并實現(xiàn)最高兩倍的功率密度提升。同時，英飛凌將引入羅姆的半橋結構SiC模塊“DOT-247”封裝技術，其獨特設計可較傳統(tǒng)TO-247封裝降低約15%熱阻和50%電感，功率密度提升至2.3倍。這一技術交換不僅豐富了雙方的產品組合，更確保了客戶在元件替換時的無縫兼容性，大幅降低供應鏈中斷風險。 英飛凌與羅姆將互為對方特定SiC功率器件封裝的第二供應商。客戶可同時采購兩家公司兼容封裝的產品，實現(xiàn)無縫切換。這一模式顯著降低了設計周期與采購風險，尤其適用于對供應鏈穩(wěn)定性要求嚴苛的汽車與工業(yè)領域。 英飛凌零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer強調，此次合作將加速碳化硅功率器件的普及，為客戶在設計與采購環(huán)節(jié)提供更多元的選擇，同時推動高能效解決方案在低碳化進程中的落地。羅姆功率器件事業(yè)部負責人伊野和英則表示，協(xié)同創(chuàng)新是提升客戶滿意度的關鍵，雙方將通過技術共享降低系統(tǒng)復雜性，共同開拓功率電子行業(yè)的新前景。 合作計劃未來將進一步擴展至硅基及寬禁帶功率技術（如SiC、GaN）的更多封裝形式，深化雙方在高效能源轉換領域的戰(zhàn)略布局。SiC功率器件憑借其高效的電力轉換效率、卓越的可靠性與小型化設計優(yōu)勢，正成為電動汽車充電、可再生能源及AI數(shù)據(jù)中心等高功率應用的核心需求。英飛凌與羅姆的此次聯(lián)手，不僅強化了雙方在全球半導體市場的競爭力，亦為行業(yè)邁向低碳化與高密度能源管理注入新動力。 |
