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據(jù)外媒thelec報道，在全球半導體市場持續(xù)變革與發(fā)展的當下，SK海力士做出了一個重大戰(zhàn)略決策：決定將今年資本支出計劃（CAPEX）提高30%，以積極應對業(yè)界對HBM3E產品需求的激增態(tài)勢。 近年來，隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計算等新興技術的飛速發(fā)展，對高性能存儲器的需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長。作為高性能存儲領域的關鍵技術，HBM（高帶寬內存）產品在提升數(shù)據(jù)處理速度、降低功耗等方面展現(xiàn)出巨大優(yōu)勢，備受市場青睞。而HBM3E作為HBM技術的進一步升級，更是憑借其超高帶寬和更低的延遲，成為存儲市場的焦點。 SK海力士此次大幅上調資本支出計劃，正是敏銳地捕捉到了這一市場趨勢。該公司計劃通過增加資本投入，在設備購置、研發(fā)投入、生產線擴充等方面進行全面升級，旨在大幅提升HBM3E產品的產能和性能，滿足市場日益增長具體而言，SK海力士原本計劃在擴展設施上的投資為22萬億韓元（按當前匯率約合1122.66億元人民幣），但此次已將這一數(shù)字大幅上調至29萬億韓元（約合1479.87億元人民幣）。這一顯著增加的投入規(guī)模，顯示出SK海力士對于HBM3E產品市場前景的高度重視以及在該領域持續(xù)深耕的決心。 在產能布局方面，SK海力士已有了清晰的規(guī)劃。據(jù)報道，該公司決定將原本預計今年交付的設備交付時間提前。例如，已通知相關供應商，在10月之前將設備交付至位于韓國忠州的M15X工廠，相較于最初計劃提前了兩個月。這一舉措將有助于加快HBM3E產品從研發(fā)到量產的進程，加速SK海力士在高性能存儲市場的布局。 HBM3E產品市場需求的激增，也讓SK海力士在市場競爭中占據(jù)了先機。此前，據(jù)Counterpoint Research的數(shù)據(jù)顯示，SK海力士在今年第一季度已經以36%的市場份額超越三星（34%），首次成為DRAM市場的頭號供應商。同時，其不斷增長的HBM3E產品訂單，也讓業(yè)界對其未來在高性能存儲領域的發(fā)展充滿期待。 行業(yè)專家分析認為，SK海力士此次提高資本支出計劃，不僅是對市場需求的快速響應，更是其鞏固自身市場地位、擴大在全球半導體產業(yè)影響力的重要戰(zhàn)略舉措。這一決策將對全球半導體存儲市場格局產生深遠影響，也可能引發(fā)其他行業(yè)競爭對手的一系列連鎖反應，進一步推動整個行業(yè)的創(chuàng)新與發(fā)展。 |
