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據外媒thelec報道，在全球半導體市場持續變革與發展的當下，SK海力士做出了一個重大戰略決策：決定將今年資本支出計劃（CAPEX）提高30%，以積極應對業界對HBM3E產品需求的激增態勢。 近年來，隨著人工智能、大數據、云計算等新興技術的飛速發展，對高性能存儲器的需求呈現出爆發式增長。作為高性能存儲領域的關鍵技術，HBM（高帶寬內存）產品在提升數據處理速度、降低功耗等方面展現出巨大優勢，備受市場青睞。而HBM3E作為HBM技術的進一步升級，更是憑借其超高帶寬和更低的延遲，成為存儲市場的焦點。 SK海力士此次大幅上調資本支出計劃，正是敏銳地捕捉到了這一市場趨勢。該公司計劃通過增加資本投入，在設備購置、研發投入、生產線擴充等方面進行全面升級，旨在大幅提升HBM3E產品的產能和性能，滿足市場日益增長具體而言，SK海力士原本計劃在擴展設施上的投資為22萬億韓元（按當前匯率約合1122.66億元人民幣），但此次已將這一數字大幅上調至29萬億韓元（約合1479.87億元人民幣）。這一顯著增加的投入規模，顯示出SK海力士對于HBM3E產品市場前景的高度重視以及在該領域持續深耕的決心。 在產能布局方面，SK海力士已有了清晰的規劃。據報道，該公司決定將原本預計今年交付的設備交付時間提前。例如，已通知相關供應商，在10月之前將設備交付至位于韓國忠州的M15X工廠，相較于最初計劃提前了兩個月。這一舉措將有助于加快HBM3E產品從研發到量產的進程，加速SK海力士在高性能存儲市場的布局。 HBM3E產品市場需求的激增，也讓SK海力士在市場競爭中占據了先機。此前，據Counterpoint Research的數據顯示，SK海力士在今年第一季度已經以36%的市場份額超越三星（34%），首次成為DRAM市場的頭號供應商。同時，其不斷增長的HBM3E產品訂單，也讓業界對其未來在高性能存儲領域的發展充滿期待。 行業專家分析認為，SK海力士此次提高資本支出計劃，不僅是對市場需求的快速響應，更是其鞏固自身市場地位、擴大在全球半導體產業影響力的重要戰略舉措。這一決策將對全球半導體存儲市場格局產生深遠影響，也可能引發其他行業競爭對手的一系列連鎖反應，進一步推動整個行業的創新與發展。 |
