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近日，在備受矚目的SK AI Summit 2024活動上，SK hynix（SK海力士）宣布了一項令人振奮的科技創(chuàng)新成果——正在開發(fā)的HBM3e 16hi產品。這款新產品標志著在高性能計算和云服務領域內存技術的重大突破，每顆HBM芯片的容量達到了前所未有的48GB，并預計在2025年上半年進行送樣。 SK AI Summit 2024活動以“AI Together, AI Tomorrow”為主題，在首爾三成洞的國際會議中心（COEX）舉行，為期兩天，吸引了全球AI領域的權威專家和科技企業(yè)參與。作為活動的亮點之一，SK hynix在會上正式展示了其最新的HBM3e 16hi產品，并分享了其致力于成為全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）的愿景。 HBM3e 16hi產品采用了先進的MR-MUF（Multi-Rank Memory Ultra-Fast）堆棧制程，通過垂直互聯(lián)多個DRAM芯片，顯著提高了數據處理速度。這一創(chuàng)新使得每顆HBM芯片的容量達到了48GB，為高性能計算和云服務提供了更為強大的內存支持。 據SK hynix介紹，HBM3e 16hi產品的潛在應用包括CSP（云端服務業(yè)者）自行研發(fā)的ASIC和general purpose GPU（通用型GPU）。在HBM4世代量產前，這款產品有望在HBM3e世代推升位元容量上限，為客戶提供大位元容量的選擇。以每SiP搭載8顆HBM顆數計算，HBM3e 16hi可將位元容量上限推進至384GB，較現有產品有了顯著提升。 SK hynix選擇在HBM3e世代追加推出16hi產品，一方面是因為TSMC（臺積電）CoWoS-L可提供的封裝尺寸將于2026和2027年間擴大，每個SiP可搭載的HBM顆數增加，但后續(xù)升級仍面臨技術挑戰(zhàn)和不確定性。在生產難度更高的HBM4 16hi量產前，HBM3e 16hi可以作為過渡產品，為客戶提供高性能和大容量的內存解決方案。 此外，SK hynix還表示，HBM3e 16hi產品的推出將有助于公司在HBM4及HBM4e世代積累高堆棧層數的量產經驗，以加速后續(xù)產品的量產時程。未來，SK hynix還將繼續(xù)探索混合鍵合（hybrid bonding）制程技術，以拓展運算頻寬更高的應用客群。 |
