SK海力士今日宣布，其研發團隊已成功開發出全球首款采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM，標志著公司在數據存儲技術領域邁出了劃時代的一步。
據SK海力士官方介紹，此次推出的第六代10納米級DDR5 DRAM采用了最先進的制造工藝，實現了每顆芯片16Gb的存儲容量，同時其運行速度達到了每秒8Gbps，相比前一代產品提升了11%。這一顯著的速度提升將極大地加快數據中心的數據處理能力，滿足日益增長的高性能計算需求。 在能效方面，新款DDR5 DRAM同樣表現出色。得益于10納米級工藝的優化，其能效比前一代產品提高了超過9%。在當前全球倡導綠色計算和節能減排的背景下，這一改進無疑將為用戶帶來更低的能耗成本和更環保的使用體驗。SK海力士預計，如果全球客戶將其應用于數據中心，電費最高可減少30%，這將為運營商帶來顯著的成本節約。 SK海力士的技術團隊表示，第六代10納米級DDR5 DRAM的成功開發，得益于公司在半導體制造工藝領域的深厚積累和不斷創新。公司以業界最高性能的第五代（1b）DRAM技術為基礎，通過技術優化和新材料的引入，成功實現了工藝上的突破。同時，公司還在整個生產過程中進行了全面的優化，提高了生產效率和成本競爭力。 此外，SK海力士還透露，新款DDR5 DRAM將在年內完成量產準備，并計劃于明年開始正式供應市場。 對于此次成果，SK海力士首席執行官表示：“我們非常自豪能夠引領半導體存儲器技術的發展潮流。第六代10納米級DDR5 DRAM的成功開發，不僅是我們技術實力的體現，更是我們對未來市場需求深刻理解的結果。我們相信，這款產品將為用戶帶來前所未有的性能體驗和成本節約，推動整個數據存儲行業的進步。” |
