瀾起科技今日正式宣布完成DDR5第四子代寄存時鐘驅(qū)動器芯片（RCD04）的量產(chǎn)。這款支持7200MT/s數(shù)據(jù)傳輸速率的芯片，較上一代產(chǎn)品性能提升超12.5%，標(biāo)志著內(nèi)存技術(shù)向更高帶寬、更低延遲邁出關(guān)鍵一步。
作為DDR5內(nèi)存模組的核心組件，RCD04芯片通過優(yōu)化時鐘信號生成與傳輸機(jī)制，將數(shù)據(jù)傳輸速率提升至7200MT/s，較DDR5第一子代芯片速率提升50%。這一突破直接回應(yīng)了人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等高算力場景對內(nèi)存性能的迫切需求。瀾起科技總裁Stephen Tai指出，RCD04芯片可有效緩解CPU與內(nèi)存間的數(shù)據(jù)交互瓶頸，為大規(guī)模語言模型訓(xùn)練、實(shí)時數(shù)據(jù)分析等苛刻工作負(fù)載提供關(guān)鍵支撐。 據(jù)披露，RCD04芯片量產(chǎn)前已完成與全球主要內(nèi)存廠商的聯(lián)合驗(yàn)證。自2024年初工程樣片送樣以來，三星、SK海力士、美光等企業(yè)已基于該芯片開展新一代內(nèi)存模組研發(fā)。配套的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器（DB）、串行檢測集線器（SPD Hub）等模組芯片亦同步完成迭代，形成完整的內(nèi)存解決方案。這種"芯片+模組"的協(xié)同創(chuàng)新模式，顯著縮短了內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)周期。 作為全球微電子行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定機(jī)構(gòu)JEDEC的核心成員，瀾起科技主導(dǎo)制定了DDR5 RCD芯片國際標(biāo)準(zhǔn)。此次RCD04芯片采用先進(jìn)制程工藝，在集成度提升30%的同時，將功耗降低15%。其獨(dú)創(chuàng)的時鐘管理技術(shù)使時鐘抖動控制在5ps以內(nèi)，相位誤差減少40%，這些技術(shù)指標(biāo)均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。 在外部環(huán)境壓力下，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主化進(jìn)程顯著加快。RCD04芯片的量產(chǎn)不僅鞏固了瀾起科技在全球內(nèi)存接口芯片市場的領(lǐng)先地位，更為國內(nèi)服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施提供了安全可控的內(nèi)存解決方案。華西證券數(shù)據(jù)顯示，2025年前三季度國內(nèi)DDR5內(nèi)存模組出貨量同比增長220%，其中采用國產(chǎn)RCD芯片的產(chǎn)品占比已超35%。 |
