|
來源：快科技 據(jù)媒體報道，美國賓夕法尼亞大學(xué)的研究團(tuán)隊近日成功開發(fā)了一款全新耐高溫存儲設(shè)備，該設(shè)備能在高達(dá)600℃的極端環(huán)境下穩(wěn)定運行，確保存儲的數(shù)據(jù)安全無虞。 這款耐高溫存儲設(shè)備的核心在于其獨特的制造材料——氮化鋁鈧（AIScN）。據(jù)研究團(tuán)隊成員Deep Jariwala介紹，氮化鋁鈧具有出色的化學(xué)穩(wěn)定性，其強大的化學(xué)鍵能在高溫下保持結(jié)構(gòu)的完整性和功能性，這使得該設(shè)備在面對高溫挑戰(zhàn)時展現(xiàn)出超凡的耐用性。 設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用了“金屬-絕緣體-金屬”的經(jīng)典設(shè)計，其中，一層45nm厚的氮化鋁鈧（AIScN）作為絕緣層，巧妙地將金屬鎳電極和金屬鉑電極結(jié)合在一起，這層氮化鋁鈧的厚度是設(shè)備成功的關(guān)鍵。 Jariwala解釋說：“氮化鋁鈧的厚度需經(jīng)過精心控制，太薄會導(dǎo)致材料在高溫下過于活躍而退化，而太厚則會削弱其鐵電開關(guān)性能，進(jìn)而影響設(shè)備的工作效率�！� 這項技術(shù)不僅是對材料科學(xué)的突破，更是對當(dāng)前芯片架構(gòu)設(shè)計的一次重大革新。Jariwala指出，傳統(tǒng)的芯片架構(gòu)中，中央處理器和內(nèi)存是分離的，這導(dǎo)致了數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t和效率低下。 尤其在處理大數(shù)據(jù)的AI應(yīng)用程序中，這種缺陷更為明顯。而這款耐高溫存儲設(shè)備通過允許內(nèi)存和處理器更緊密地集成在一起，極大地縮短了數(shù)據(jù)傳輸時間，從而提升了計算速度、復(fù)雜性和效率。這種設(shè)計理念被研發(fā)團(tuán)隊稱為“內(nèi)存增強計算”。 展望未來，這款耐高溫存儲設(shè)備有望在AI系統(tǒng)建設(shè)中發(fā)揮重要作用。其卓越的耐高溫性能和高效的計算效率，將有助于提高AI系統(tǒng)的運行穩(wěn)定性和計算效率，為人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入新的活力。 
|
