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來源：汽車電子應用網 據報道，德州儀器正在將GaN（氮化鎵）生產工藝從6英寸向8英寸過渡，以提高產能、獲得成本優勢。 德州儀器韓國總監Ju-Yong Shin表示，公司傳統上采用6英寸工藝生產氮化鎵半導體，達拉斯工廠有望在2025年之前過渡到8英寸工藝，日本會津工廠則正在將現有的硅基8英寸產線轉換為GaN半導體產線。 據了解，德州儀器最近正在將其6英寸生產工藝轉為8英寸，將8英寸生產工藝轉為12英寸，以提高生產效率。8英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的1.78倍，因此可以生產更多的半導體。12英寸晶圓的面積是8英寸晶圓的2.25倍。 Ju-Yong Shin表示，德州儀器傳統上采用6英寸工藝生產氮化鎵半導體，達拉斯工廠有望在2025年之前過渡到8英寸工藝。 |
