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來源：EXPreview 去年末，ASML向英特爾交付了業(yè)界首臺High-NA EUV光刻機，從荷蘭的費爾德霍芬運送到美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)基地，并在接下來的幾個月內(nèi)完成安裝。據(jù)了解，每臺High-NA EUV光刻機的成本約在3到4億美元。 近日SemiAnalysis的分析師表示，半導(dǎo)體制造商使用ASML新一代High-NA EUV光刻機在財務(wù)上意義不大。對于這種說法，ASML毫無疑問不會同意的，在接受Bits and Chips采訪時，ASML首次財務(wù)官Roger Dassen對于SemiAnalysis的進行了回?fù)簟?br /> Roger Dassen認(rèn)為SemiAnalysis低估了High-NA EUV光刻機的好處，可以避免制造上雙重或四重曝光帶來的復(fù)雜性，只需要向英特爾了解一下就能明白了，稱新技術(shù)在邏輯和存儲芯片方面是最具成本效益的解決方案。從這點可以理解，錯過了EUV機遇的英特爾，為什么最早下單High-NA EUV光刻設(shè)備。 具有高數(shù)值孔徑的新型High-NA EUV系統(tǒng)可提供0.55數(shù)值孔徑，與此前配備0.33數(shù)值孔徑透鏡的EUV系統(tǒng)相比，精度會有所提高，可以實現(xiàn)更高分辨率的圖案化，以實現(xiàn)更小的晶體管特征，同時每小時能生產(chǎn)超過200片晶圓。晶圓代工廠顯然了解使用High-NA EUV光刻機的利弊，ASML表示客戶已在2024年至2025年開始研發(fā)工作，并在2025年至2026年間進入大規(guī)模生產(chǎn)階段。 
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