東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

發(fā)布時間：2022-8-30 16:54 發(fā)布者：eechina

關鍵詞：碳化硅 , SiC , MOSFET

－該系列產品包含1200V和650V兩種規(guī)格－

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。

新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產品有助于提高設備效率。

東芝將進一步壯大其功率器件產品線，強化生產設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現(xiàn)碳中和經(jīng)濟。

 應用：
- 開關電源（服務器、數(shù)據(jù)中心、通信設備等）
- 電動汽車充電站
- 光伏變頻器
- 不間斷電源（UPS）

 特性：
- 單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）
- 低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）
- 低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V

 主要規(guī)格：
（除非另有說明，Ta＝25℃）

器件型號	封裝	絕對最大額定值			電氣特性						庫存查詢與購買
		漏極-源極電壓	柵極-源極電壓	漏極電流	漏極-源極導通電阻	柵極閾值電壓	總柵極電荷	柵極-漏極電荷	輸入電容	二極管正向電壓
		VDSS（V）	VGSS（V）	（DC）	RDS(ON)	Vth（V）	Qg	Qgd	Ciss	VDSF典型值
				ID（A）	典型值（mΩ）		典型值（nC）	典型值（nC）	典型值（pF）	（V）
				@Tc＝25℃	@VGS＝18V	@VDS＝10V			@VDS＝400V、	@VGS＝-5V
				@Tc＝25℃	@VGS＝18V	@VDS＝10V			F＝100kHz	@VGS＝-5V
TW015N120C	TO-247	1200	-10至25	100	15	3.0至5.0	158	23	6000	-1.35	在線購買
TW030N120C				60	30		82	13	2925		在線購買
TW045N120C				40	45		57	8.9	1969		在線購買
TW060N120C				36	60		46	7.8	1530		在線購買
TW140N120C				20	140		24	4.2	691		在線購買
TW015N65C		650		100	15		128	19	4850		在線購買
TW027N65C				58	27		65	10	2288		在線購買
TW048N65C				40	48		41	6.2	1362		在線購買
TW083N65C				30	83		28	3.9	873		在線購買
TW107N65C				20	107		21	2.3	600		在線購買

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