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北方華創正式發布 CCP 介質刻蝕機,實現刻蝕工藝全覆蓋

發布時間:2022-8-15 14:28    發布者:eechina
來源:IT之家

據北方華創官方宣布,今天,北方華創正式發布 CCP 介質刻蝕機,目前已在 5 家客戶完成驗證并實現量產。此前北方華創已推出 ICP 刻蝕機、金屬刻蝕機等,實現刻蝕工藝全覆蓋。

北方華創 NMC508 RIE 介質刻蝕機采用 8 吋設備二十年工藝基礎;專為 8 吋工藝設計的腔室與硬件,滿足定制化需求;6&8 吋兼容,可實現快速切換;目前,已在 5 家客戶完成驗證并實現量產;支持 18 年成熟的軟件系統應用,以及穩定的備件系統,配備可靠供應鏈;搭載全套服務團隊,可提供包括工藝開發、零部件供應、軟件升級、質保服務等在內的全方位保障。

據官方介紹,NMC508 RIE 介質刻蝕機在前道工藝上,具有刻蝕形貌好、選擇比高、工藝性能優越的特點;在后道工藝,可實現對金屬副產物的有效控制,維護周期長;采用多頻射頻技術,具有刻蝕速率高、工藝均勻性佳、工藝窗口大等特點,可更好滿足深孔小 CD 的應用發展趨勢;在晶圓傳輸平臺系統上,采用自主研發的通用平臺,擁有成熟的軟件系統,并具備晶圓自動定心 (AWC) 功能,滿足晶圓穩定傳輸作業的需求;在腔室設計上,采用獨特的防等離子打火結構和精確的電極控溫設計,具備溫度分區控制功能,配備終點檢測系統,滿足關鍵刻蝕工藝的均一性、終點抓取等需求,且顆粒表現佳;耗材壽命長,維護便捷,可滿足您擁有成本 (COO) 和消耗成本 (COC) 雙低的需求。作為 CCP 刻蝕機,具備在介質刻蝕上的高選擇比、高刻蝕速率等優勢,適用于介質類氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等膜層材料;可為客戶提供包括邏輯器件、功率器件、化合物半導體等在內的多種特色工藝;主要應用領域包括但不限于:Logic, BCD, Power (Si / SiC / GaN), MEMS

NMC508 RIE 介質刻蝕機的推出,完成了該領域國產設備工藝的最后一塊拼圖,實現了北方華創在 8 吋刻蝕設備上的整體解決方案,包括硅刻蝕、深硅刻蝕、金屬刻蝕、化合物半導體刻蝕 (SiC, GaN, GaAs, InP, LiNbO3, LiTaO3 等)等工藝設備。

北方華創還可提供包括 PVD、CVD、ALD、爐管、清洗等在內的 8 吋設備,提供整體解決方案。
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