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來源：北方華創 2023年6月，北方華創12英寸深硅刻蝕機PSE V300累計實現銷售100腔。 隨著晶體管尺寸不斷向原子尺度靠近，摩爾定律正在放緩，面對工藝技術持續微縮所增加的成本及復雜性，市場亟需另辟蹊徑以實現低成本前提下的芯片高性能，以TSV（Through Silicon Via，硅通孔）技術為代表的先進封裝成為芯片集成的重要途徑。北方華創于2020年前瞻性推出的12英寸先進封裝領域PSE V300，因性能達到國際主流水平且具有廣泛應用于國內12英寸主流Fab廠的扎實實踐經驗而成為國內TSV量產生產線主力機臺。 
TSV技術是通過在芯片與芯片之間（Chip to Chip）、芯片與晶圓之間（Chip to Wafer）、晶圓與晶圓之間（Wafer to Wafer）制作硅通孔，然后通過薄膜沉積、金屬填充、減薄、鍵合等工藝實現硅通孔的電氣互聯，“TSV是唯一能實現芯片內部上下互聯的技術，可以使多個芯片實現垂直且最短互聯”[1]。其中，硅通孔的制作是TSV技術的核心之一，這對制作硅通孔的刻蝕工藝在刻蝕速率、深寬比、刻蝕形貌、均勻性、選擇比等方面提出嚴苛要求，正因如此，TSV技術如今仍存在較高的技術壁壘，國內僅少數企業具備量產能力。 PSE V300通過快速氣體和射頻切換控制系統，能在50:1高深寬比深硅刻蝕中準確控制側壁形貌，實現側壁無損傷和線寬無損失；通過優異的實時控制性能大幅提升刻蝕速率，其TSV刻蝕速率達到國際主流水平。 在結構系統方面，PSE V300采用每腔單片設計，在氣流場均勻性等方面工藝表現優異。機臺可同時配置6個腔室，在保證大產能量產方面，性能優異。 經過三年的迭代更新，PSE V300已從最初的2.5D/3D封裝領域，逐漸應用至功率器件、圖像傳感器及微機電系統等眾多領域。未來，北方華創將加快自主創新步伐，不斷推動刻蝕設備迭代升級，為更多半導體技術提供更加優異的解決方案。 |
