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東芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊，助力實(shí)現(xiàn)尺寸更小，效率更高的工業(yè)設(shè)備

發(fā)布時(shí)間：2022-1-27 10:19 發(fā)布者：eechina

關(guān)鍵詞： SiC , MOSFET , MG600Q2YMS3 , MG400V2YMS3

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款全新碳化硅（SiC）MOSFET雙模塊---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”：前者額定電壓為1200V，額定漏極電流為600A；后者額定電壓為1700V，額定漏極電流為400A。作為東芝首批具有上述額定電壓的產(chǎn)品，它們與之前發(fā)布的MG800FXF2YMS3共同組成了1200V、1700V和3300V器件產(chǎn)品線。

這兩種新模塊在安裝方式上兼容廣泛使用的硅（Si）IGBT模塊。兩種新模塊的低損耗特性滿足了工業(yè)設(shè)備對(duì)提高效率、減小尺寸的需求，例如用于軌道車(chē)輛的轉(zhuǎn)換器和逆變器以及可再生能源發(fā)電系統(tǒng)。

 應(yīng)用：
- 用于軌道車(chē)輛的逆變器和轉(zhuǎn)換器
- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)
- 電機(jī)控制設(shè)備
- 高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器

 特性：
- 安裝方式兼容Si IGBT模塊
- 損耗低于Si IGBT模塊
MG600Q2YMS3
VDS(on)sense＝0.9V（典型值）@ID＝600A，Tch＝25℃
Eon＝25mJ（典型值），Eoff＝28mJ（典型值）@VDS＝600V，ID＝600A，Tch＝150℃
MG400V2YMS3
VDS(on)sense＝0.8V（典型值）@ID＝400A，Tch＝25℃
Eon＝28mJ（典型值），Eoff＝27mJ（典型值）@VDS＝900V，ID＝400A，Tch＝150℃
- 內(nèi)置NTC熱敏電阻

 主要規(guī)格：
（除非另有說(shuō)明，@Tc＝25℃）

器件型號(hào)			MG600Q2YMS3	MG400V2YMS3
封裝			2-153A1A
絕對(duì)最大額定值	漏極-源極電壓VDSS（V）		1200	1700
	柵極-源極電壓VGSS（V）		-2.5	-2.5
	漏極電流（直流）ID（A）		600	400
	漏極電流（脈沖）IDP（A）		1200	800
	結(jié)溫Tch（℃）		150	150
	隔離電壓Visol（Vrms）		4000	4000
電氣特性	漏極-源極導(dǎo)通電壓（感應(yīng)）	@VGS＝+20V，	0.9	0.8
	VDS(on)sense典型值（V）	Tch＝25℃	@ID＝600A	@ID＝400A
	源極-漏極導(dǎo)通電壓（感應(yīng)）	@VGS＝+20V，	0.8	0.8
	VSD(on)sense典型值（V）	Tch＝25℃	@IS＝600A	@IS＝400A
	源極-漏極關(guān)斷電壓（感應(yīng)）	@VGS＝-6V，	1.6	1.6
	VSD(off)sense典型值（V）	Tch＝25℃	@IS＝600A	@IS＝400A
	開(kāi)通損耗	@Tch＝150℃	25	28
	Eon典型值（mJ）		@VDS＝600V，	@VDS＝900V，
			ID＝600A	ID＝400A
	關(guān)斷損耗	@Tch＝150℃	28	27
	Eoff典型值（mJ）		@VDS＝600V，	@VDS＝900V，
			ID＝600A	ID＝400A
熱敏電阻特性	額定NTC電阻 R典型值（kΩ）		5	5
熱敏電阻特性	NTC B值 B典型值（K）	@TNTC＝25℃-150℃	3375	3375

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MG600Q2YMS3
https://toshiba-semicon-storage. ... il.MG600Q2YMS3.html

MG400V2YMS3
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碳化硅功率器件
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