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國產并口PSRAM存儲芯片EMI164NA16LM

發布時間:2021-3-17 15:19    發布者:英尚微電子
EMI164NA16LM該設備是一個集成的存儲器設備,其中包含64Mbit靜態隨機存取存儲器,使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨的電源軌,VCCQ和VSSQ,用于從設備核心的單獨電源運行。

特征
•電源
-VCC和VCCQ電壓:3.0V(2.7V〜3.6V)
•配置:64MB(4MBX16)
•讀取速度
-異步讀訪問:70ns
•低功耗
-異步操作:<30mA
-待機電流:<350UA(最大值)
•低功耗功能
-片上溫度補償自刷新(TCSR
•工作溫度范圍:-40°C〜+85°C(工業)
•包裝:48 TFBGA(6.0x7.0mm)

引腳封裝



48 TFBGA(6.0x7.0mm)



EMI164NA16LM該設備是67,108,864位pSRAM,使用DRAM型存儲器單元,但該器件具有無刷新操作和極端低功耗技術。接口與低功耗異步類型SRAM兼容。該設備組織為4,194,304字x16位。


圖2.功能框圖


功能描述
64MB設備包含67,108,864位DRAM核心,組織為16位的4,194,304個地址。該設備包括行業標準,在其他LOW Pexer SRAM產品上找到的異步內存接口


表1功能描述


1.當UB#和LB#處于選擇模式(低)時,DQ0〜DQ15受到如圖所示的影響。
當僅LB#處于選擇模式時,DQ0〜DQ7受到如圖所示的影響。只有UB#處于選擇模式時,DQ8〜DQ15會受到如圖所示的影響。
2.當設備處于待機模式時,控制輸入(We#,OE#),地址輸入和數據輸入/輸出在內部與任何外部影響分離。
3.當我們#處于活動狀態時,OE#INPUT在內部禁用,對I/O沒有影響。
4.只要更改地址,設備將在此模式下消耗有效電源。
5.VIN=VCCQ或0V,所有器件引腳都是靜態(未切換的),以實現備用電流。

關于EMI
安徽偉凌創芯微電子有限責任公司(簡稱EMI)位于合肥市高新區,是一家以市場為導向的無晶圓半導體公司。專注于利基市場專用芯片/小型藍牙SOC芯片/存儲芯片SRAM/PSRAM及整體解決方案,第一代產品涉及千兆/萬兆USB網口芯片以及音視頻接口芯片。提供創新、高品質、高性價比、 供貨持續穩定的芯片,并通過提供軟硬件Turnkey solution,降低客戶研發難度,縮短客戶量產時程。產品領域涵蓋智能感知、網絡可視化、信息化、信息安全、大數據分析、智能語音、應用展現、特種通信和智能建筑等。EMI代理英尚微電子支持提供產品相關技術支持。



64Mb.pdf (6.21 MB)
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英尚微電子 發表于 2021-3-17 15:30:08
EMI164NA16LM該設備是一個集成的存儲器設備,其中包含64Mbit靜態隨機存取存儲器,使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨的電源軌,VCCQ和VSSQ,用于從設備核心的單獨電源運行。
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