東芝推出新款碳化硅MOSFET模塊，有助于提升工業設備效率和小型化

發布時間：2021-2-25 14:45 發布者：eechina

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向工業應用推出一款集成最新開發的雙通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模塊---“MG800FXF2YMS3”，該產品將于2021年5月投入量產。

為達到175℃的通道溫度，該產品采用具有銀燒結內部鍵合技術和高貼裝兼容性的iXPLV（智能柔性封裝低電壓）封裝。這款模塊可充分滿足軌道車輛和可再生能源發電系統等工業應用對高效緊湊設備的需求。

 應用
・用于軌道車輛的逆變器和轉換器
・可再生能源發電系統
・工業電機控制設備

 特性
・漏源額定電壓：VDSS＝3300V
・漏極額定電流：ID＝800A雙通道
・寬通道溫度范圍：Tch＝175℃
・低損耗：
Eon＝250mJ（典型值）
Eoff＝240mJ（典型值）
VDS(on)sense＝1.6V（典型值）
・低雜散電感：Ls＝12nH（典型值）
・高功率密度的小型iXPLV封裝

 主要規格

器件型號				MG800FXF2YMS3
封裝				iXPLV
額定最大絕對值	漏源電壓VDSS（V）			3300
	柵源電壓VGSS（V）			-2.5
	漏極電流（DC）ID（A）			800
	漏極電流（脈沖）IDP（A）			1600
	通道溫度Tch（℃）			175
	隔離電壓Visol（Vrms）			6000
電氣特性	漏源電壓導通電壓（感應）		VGS＝+20V時，	1.6
	VDS(on)sense典型值（V）		ID＝800A
	源漏電壓導通電壓（感應）		VGS＝+20V時，	1.5
	VSD(on)sense典型值（V）		IS＝800A
	源漏電壓關斷電壓（感應）		VGS＝-6V時，	2.3
	VSD(off)sense典型值（V）		IS＝800A
	雜散電感模塊LSPN典型值（nH）			12
	導通開關損耗	VDD＝1800V時，		250
	Eon典型值（mJ）	ID＝800A、
		Tch＝150℃
	關斷開關損耗	VDD＝1800V時，		240
	Eoff典型值（mJ）	ID＝800A、
		Tch＝150℃

如需了解相關新產品的更多信息，請訪問以下網址：
MG800FXF2YMS3
https://toshiba-semicon-storage. ... .MG800FXF2YMS3.html

如需了解相關東芝SiC功率器件的更多信息，請訪問以下網址：
https://toshiba-semicon-storage. ... -power-devices.html

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