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基于SBD的700V、1200V和1700V電源模塊可最大程度地提升開關效率、減少溫升和縮小系統尺寸 業界希望基于碳化硅（SiC）的系統能最大程度地提升效率、減小尺寸和重量，從而幫助工程師創建創新的電源解決方案；這一需求正在持續、快速地增長。SiC技術的應用場景包括電動汽車、充電站、智能電網、工業電力系統和飛機電力系統等。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出更小、更輕及效率更高的SiC電源模塊，進一步豐富了其電源產品線。憑借新型SiC電源模塊及各類單片機和模擬產品, Microchip能夠滿足客戶對大功率系統控制、驅動和功率級電路等方面的需求，提供完整的系統解決方案。 
Microchip的SiC系列產品包含以肖特基勢壘二極管（SBD）為基礎的700V、1200V和1700V商業級電源模塊。除了提供不同的電流和封裝方案之外，新推出的系列電源模塊還采用雙二極管（Dual Diode）、全橋（Full Bridge）、相腳（Phase Leg）、雙共陰極（Dual Common Cathode）和三相橋（3-Phase bridge）等各種拓撲結構。SiC SBD模塊可將多個SiC二極管芯片與可選件結合在一起，將基片和底板材料集成到單個模塊，進而簡化設計，最大程度地提升開關效率，減少溫升并縮小系統尺寸。 Microchip分立器件事業部副總裁Leon Gross表示：“SiC技術的應用和拓展是當前系統創新的驅動力。作為行業領軍者，Microchip正同所有細分市場和全球各地的客戶開展合作。我們始終將提供可靠的新型解決方案作為業務重點。從產品定義到產品發布的各個階段，我們的SiC技術提供優越的可靠性和穩健性，可幫助電力系統設計人員保障電力系統的長期運行，而不會降低系統性能。” 豐富多樣的700V、1200V和1700V SiC SBD模塊產品線采用Microchip最新一代的SiC芯片，可最大程度地提升系統可靠性和穩健性，保障電力系統的壽命和穩定性。這些器件的高雪崩性能可使系統設計人員減少對緩沖電路的需求。由于這些器件的體二極管具有穩定性，電力系統可在內部采用體二極管，避免長期運行后出現性能退化。Microchip內部檢測和第三方檢測顯示，相比其他使用SiC制造的器件，這些器件在關鍵的可靠性指標上表現更佳。 開發工具 Microchip的30kW三相Vienna功率因數校正（PFC）功能、SiC分立器件和SP3/SP6L模塊驅動參考設計/驅動板可幫助系統開發人員縮短開發周期。 供貨 700V、1200V和1700V SiC SBD電源模塊現已發布并開放訂購。多個SiC SPICE模型、SiC驅動板參考設計和PFC Vienna參考設計為整個SiC產品系列提供支持。Microchip的SiC產品及其輔助產品現已實現量產。Microchip針對SiC MOSFET和SiC二極管提供各種裸片和封裝方案。 欲了解更多信息，請聯系Microchip的銷售代表或全球授權分銷商，或訪問Microchip的SiC產品網站。如欲購買文中提到的產品，請聯系Microchip的授權分銷商。 |
