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半導體分立器件I-V特性測試方案

發布時間:2019-9-25 15:08    發布者:安泰測試設備
半導體分立器件是組成集成電路的基礎,包含大量的 雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場效應管等。 直流I-V測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的 基石。通常使用I-V特性分析,或I-V曲線,來決定器 件的基本參數。微電子器件種類繁多,引腳數量和待 測參數各不相同,除此以外,新材料和新器件對測試 設備提出了更高的要求,要求測試設備具備更高的低 電流測試能力,且能夠支持各種功率范圍的器件。
分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實驗,幫助工 程師提取半導體器件的基本I-V特性參數,并在整個工 藝流程結束后評估器件的優劣。
隨著器件幾何尺寸的減小,半導體器件特性測試對測 試系統的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺 寸只有微米量級,這些對低噪聲源表,探針臺和顯微 鏡性能都提出了更高的要求。
半導體分立器件I-V特性測試方案,泰克公司與合作 伙伴使用泰克吉時利公司開發的高精度源測量單元 (SMU)為核心測試設備,配備使用簡便靈活,功能 豐富的CycleStar測試軟件,及精準穩定的探針臺,為客戶提供了可靠易用的解決方案,極大的提高了用戶 的工作效率。
吉時利方案特點
  豐富的內置元器件庫,可以根據測試要求選擇所需要的待測件類型;
測試和計算過程由軟件自動執行,能夠顯示數據和曲線,節省了大量的時間;
精準穩定的探針臺,針座分辨率可高達0.7um,顯微鏡放大倍數最高可達x195倍;
最高支持同時操作兩臺吉時利源表,可以完成三端口器件測試。
測試功能:
二極管特性的測量與分析
極型晶體管BJT特性的測量與分析  
MOSFET場效應晶體管特性的測量與分析  
MOS 器件的參數提取
系統結構:
系統主要由一臺或兩臺源精密源測量單元(SMU)、 夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口MOSFET 器件為例,共需要以下設備:
1、兩臺吉時利 2450 精密源測量單元
2、四根三同軸電纜
3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺
4、三同軸T型頭
5、上位機軟件與源測量單元(SMU)的連接方式如下圖所示,可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個接口進行連接。
系統連接示意圖
典型方案配置
西安某高,F場演示圖
安泰測試已為西安多所院校、企業和研究所提供吉時利源表現場演示并獲得客戶的高度認可,安泰測試將和泰克吉時利廠家一起為客戶提供更優質的服務和全面的測試方案為客戶解憂。

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