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與原有的14納米FinFET相比，全新的7LP技術將提升40%的性能 格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的（7LP）FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網絡基礎設施等應用的需求。設計套件現已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現量產。 2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現遠優于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產品相比，預計面積將縮小一半，同時處理性能提升超過40%。目前，在格芯位于紐約薩拉托加縣的全球領先的Fab 8晶圓廠內，該技術已經做好了為客戶設計提供服務的準備。 格芯CMOS業務部高級副總裁Gregg Bartlett先生表示：“我們的7納米FinFET技術正在按計劃進行開發。我們看到，格芯在2018年計劃出廠的多樣化產品對客戶有著強大吸引力。在推動7納米芯片于未來一年中實現市場化的同時，格芯正在積極開發下一代5納米及其后續的技術，以確保我們的客戶能夠在最前沿領域內獲取世界級的技術藍圖。” 格芯還將持續投資下一代技術節點的研究與開發。通過與合作伙伴IBM和三星的密切合作，2015年格芯便宣布推出7納米測試芯片。此后，格芯又于近日宣布業內首款基于硅納米片晶體管的5納米的樣片。目前，格芯正在探索一系列新的晶體管架構，以幫助其客戶邁進下一個互聯的智能時代。 格芯的7納米FinFET技術充分利用了其在14納米FinFET技術上的批量制造經驗，該技術于2016年初2月8日在Fab 8晶圓廠中開始生產。自那時起，格芯已為廣泛的客戶提供了“一次成功”的設計。 為了加快7LP的量產進程，格芯正在持續投資最新的工藝設備能力，包括在今年下半年首次購進兩個超紫外光（EUV）光刻工具。7LP的初始量產提升將依托傳統的光刻方式，當具備批量生產條件時，將遷移至EUV光刻技術。 引言： “我們很高興看到格芯先進的7納米工藝所帶來的領先技術。AMD與格芯的合作集中于創造高性能的產品，從而帶來更沉浸式和更直觀的計算體驗。” —— Mark Papermaster，AMD高級副總裁兼首席技術官 “雖然晶體管結構并非技術成功的唯一重要因素，但仍然承擔著極其關鍵的作用。這是7納米芯片批量生產歷程中的重要里程碑，證明了格芯的工藝流程已經成熟到足以開始進行真正的客戶產品設計。同時，該公司已經在向5納米及更精細的芯片市場邁進。目前世界上能駕馭此種領先創新技術的公司屈指可數，格芯無疑是這個精英團隊中的重要一員。” —— Patrick Moorhead，Moor Insights & Strategy公司總裁兼首席分析師 “格芯不斷展現了美國在前沿技術領域中的領先地位，如果能繼續在7納米芯片的研究中進步，格芯將成為第一個跨過該領域全部技術節點的公司。在過去，有很多人還沒有走到格芯今天的這一步，便失敗了。這是從摩爾定律中汲取價值而產生的一種全新戰略方式，在艱難繞過10納米領域后，格芯發力攻克7納米領域。其他公司則是把資源分散，來進行半程或四分之一節點處的研發。” —— Dan Hutcheson，VLSI Research公司總裁兼董事長 |
