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據(jù)工業(yè)和信息化部發(fā)布的最新消息，上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司已成功提交了一項(xiàng)名為“極紫外輻射發(fā)生裝置及光刻設(shè)備”的發(fā)明專利申請（申請?zhí)枺篊N202310226636.7）。該專利針對當(dāng)前極紫外（EUV）光刻技術(shù)中的關(guān)鍵挑戰(zhàn)，提出了一種創(chuàng)新性的解決方案，旨在高效且簡便地收集光刻過程中產(chǎn)生的帶電粒子，以提高光刻設(shè)備中關(guān)鍵部件——收集器鏡的使用壽命。 光刻機(jī)被譽(yù)為“芯片之母”，是集成電路制造中最為關(guān)鍵的設(shè)備之一。此次專利申請的核心技術(shù)，正是針對光刻機(jī)中極紫外光源系統(tǒng)的優(yōu)化與創(chuàng)新。通過巧妙設(shè)計(jì)，利用電場約束帶電粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡，該技術(shù)能夠高效收集并處理光刻過程中產(chǎn)生的有害帶電粒子，如錫碎屑等，從而延長收集器鏡的使用壽命，并顯著提升光刻設(shè)備的整體性能和穩(wěn)定性。 值得注意的是，該專利的提出不僅解決了極紫外光刻設(shè)備中的一大技術(shù)難題，更標(biāo)志著中國在7納米芯片光刻技術(shù)領(lǐng)域取得了重要進(jìn)展。工信部此前發(fā)布的《首臺(套)重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導(dǎo)目錄(2024年版)》中，明確列出了氟化氬光刻機(jī)，并對其技術(shù)參數(shù)提出了具體要求，包括光源為193納米、分辨率不大于65納米、套刻精度不大于8納米等。這一指標(biāo)的提出，彰顯了我國在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域追求技術(shù)突破的決心和實(shí)力。 隨著此次專利申請的提交，中國半導(dǎo)體行業(yè)在7納米芯片光刻技術(shù)上的突破得到了進(jìn)一步確認(rèn)。這不僅意味著我國在該領(lǐng)域已經(jīng)具備了自主研發(fā)和量產(chǎn)能力，也為未來實(shí)現(xiàn)更高精度、更高性能的芯片制造奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 據(jù)了解，上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司作為該專利的申請者，其核心團(tuán)隊(duì)由多位資深科學(xué)家和工程師組成，他們在光刻技術(shù)領(lǐng)域積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)和深厚的技術(shù)底蘊(yùn)。此次專利申請的成功，是公司長期以來堅(jiān)持自主創(chuàng)新、不斷突破技術(shù)瓶頸的結(jié)果，也是中國半導(dǎo)體行業(yè)集體智慧的結(jié)晶。 |
