IR推出IRFHE4250D FastIRFET 6×6 PQFN頂部外露電源模塊器件

發布時間：2014-8-13 15:56 發布者：eechina

為DC-DC應用提供卓越效率

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRFHE4250D FastIRFET雙功率MOSFET，藉以擴充電源模塊組件系列。新款25V器件在25A的電流下能夠比其它頂級的傳統電源模塊產品減少5%以上的功率損耗，適用于12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網絡通訊設備、服務器、顯卡、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 和筆記本電腦等。

IRFHE4250D配備IR新一代硅技術，并采用了適合背面貼裝的6×6 PQFN頂部外露纖薄封裝，為電源模塊帶來更多封裝選擇。這款封裝結合了出色的散熱性能、低導通電阻 (Rds(on)) 與柵極電荷 (Qg)，提供卓越的功率密度和較低的開關損耗，從而縮減電路板尺寸，提升整體系統效率。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“高達60A額定值的IRFHE4250D FastIRFET MOSFET是全球首款頂部外露電源模塊器件，提供行業領先的功率密度，有效滿足要求頂尖效率的高性能DC-DC應用。”

與IR的其它電源模塊器件一樣，IRFHE4250D可與各種控制器或驅動器共同操作，以提供設計靈活性，同時以小的占位面積實現更高的電流、效率和頻率，還為IR電源模塊帶來全新的6×6 PQFN封裝選擇。

IRFHE4250D符合工業標準及第二級濕度敏感度 (MSL2) 標準，并采用了6×6 PQFN頂部外露封裝，備有符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 的環保物料清單。

規格

器件編號	封裝	電流額定值	在4.5V下的	在4.5V下的	在4.5V下的典型QGD (nC)
			典型/最高	典型QG (nC)
			導通電阻
IRFHE4250D	PQFN	60A	3.2 / 4.1	13	5. × 13
	6mm × 6mm		1.35 / 1.0	35

產品現已接受批量訂單，相關數據請瀏覽IR的網站http://www.irf.com。

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