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新型X4級器件在簡化熱設計，提高效率的同時減少了儲能、充電、無人機和工業應用中零部件數量。 Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）推出 MMIX1T500N20X4 X4級超級結功率MOSFET。這款200 V、480 A N通道MOSFET的導通電阻RDS(on)極低，僅為1.99 mΩ，可在功率密集型設計中實現卓越的導通效率、簡化熱管理并提高系統可靠性。 
MMIX1T500N20X4采用高性能陶瓷基隔離SMPD-X封裝，配備頂部散熱結構以實現最佳熱管理。與最先進的現有X4級MOSFET解決方案相比，該器件提供高達2倍的額定電流和低63%的RDS(on)，使工程師能夠將多個并聯的低電流器件整合到單一的高電流解決方案中。 功能與特色： • 200 V阻斷電壓，1.99 mΩ超低RDS(on)，可將傳導損耗降至最低； • 高電流能力（ID = 480 A）減少了所需并聯器件的數量； • 緊湊型SMPD-X隔離封裝，具有2500 V隔離和改進的熱阻（Rth(j-c) = 0.14 °C/W）； • 低柵極電荷（Qg = 535 nC）降低了柵極驅動功率要求； • 采用頂部冷卻式封裝，簡化熱管理。 這些特性共同實現了更高的功率密度、更少的元件數量以及更簡便的組裝流程，有利于打造出更高效、更可靠且更具成本效益的系統設計。 應用： 該MMIX1T500N20X4非常適合： • 直流負載開關； • 電池儲能系統； • 工業和過程電源； • 工業充電基礎設施； • 無人機和垂直起降飛行器（VTOL）平臺。 “新款器件使設計人員能夠將多個并聯的低電流器件整合到一個高電流器件中，從而簡化設計并減少元件數量。”Littelfuse產品營銷分析師Antonio Quijano介紹道， “這有助于提高系統可靠性，簡化柵極驅動器的實施，同時提高功率密度和PCB空間利用率。” 常見問答（FAQ） 1. 與現有解決方案相比，MMIX1T500N20X4 MOSFET如何提升系統效率？ MMIX1T500N20X4提供1.99 mΩ的超低RDS(on)，額定電流為480 A，可減少傳導損耗和發熱。用單個器件取代多個并聯MOSFET，可簡化設計、減少元件數量并提升整體系統效率。 2. 這款MOSFET最適合哪些應用場景？ 該MOSFET非常適合對效率和可靠性要求嚴苛的大電流、中低壓系統。典型應用包括直流負載開關、電池儲能、工業電源、充電基礎設施以及無人機或垂直起降飛行器的電力電子設備。 3. SMPD-X設計在散熱和封裝方面具有哪些優勢？ 高性能陶瓷基SMPD-X封裝具有出色的熱阻（Rth(j-c) = 0.14 °C/W）和2500 VRMS隔離性能，可實現更高的功率密度和更安全的操作。其頂部冷卻設計簡化了熱管理，減小了系統尺寸，并增強了長期可靠性。 供貨情況 MMIX1T500N20X4以管式（20支）和卷帶式（每卷160支）兩種形式提供。通過全球授權的Littelfuse經銷商提交樣品申請。如需了解Littelfuse授權經銷商名單，請訪問 Littelfuse.com。 |
