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意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布其先進的超結功率MOSFET晶體管系列新增快速開關產品，用于高能效消費電子產品、計算機和電信系統(tǒng)、照明控制器和太陽能設備。 新產品可提升設備電源能效，如200-500W中等尺寸電視。如每年制造的2億臺液晶電視 均采用新的 MDmesh II Plus Low Qg（低柵電荷）功率晶體管，每年溫室氣體將減排14多萬噸，這個數(shù)字相當于約3萬輛客車的尾氣排放量 。 僅有少數(shù)芯片廠商掌握超結技術，采用此項技術的功率晶體管具有小尺寸、耐高壓和導通能效優(yōu)異等諸多優(yōu)點。意法半導體在這個技術領域居全球領先水平，除MDmesh功率MOSFET外，現(xiàn)在又推出了性能更高的MDmesh II Plus Low Qg系列。這些先進特性可降低管內柵極電荷數(shù)量，提高開關以及導通時的能效，有助于液晶電視常用的諧振型電源節(jié)省電能。 在改進設計后，新產品降低了柵電荷（Qg）以及輸入和輸出電容，這些參數(shù)有助于進一步提高開關速度和能效，推進液晶電視開發(fā)人員選用超結晶體管設計諧振電源。直到現(xiàn)在，超結晶體管仍主要用于設計硬開關拓撲，在電流電壓都很高的條件下執(zhí)行開關操作。在諧振型電源內，兩支電感和一支電容（LLC功率轉換器）可確保晶體管的開關電壓為零電壓，以保證系統(tǒng)電流曲線平滑，從而提高能效。電壓瞬變可燒毀晶體管，引起誤開關，MDmesh II PlusTM Low Qg新系列擁有高抗瞬變能力，可承受輸入電壓突然劇變（dv/dt），讓新產品能夠在交流電力線上噪聲和諧波等瞬變事件惡劣的環(huán)境中穩(wěn)定工作。 首款投產的MDmesh II PlusTM Low Qg產品為采用TO-220封裝的STP24N60M2。意法半導體將擴展此系列至50余款不同封裝的產品，如TO-220FP， I2PAK，I2PAK FP，D2PAK，TO-247 和PowerFLAT 8x8。 STP24N60M2主要特性： • 通態(tài)電阻（RDS(ON)）：190mΩ • 擊穿電壓：600V • 最大連續(xù)漏極電流（ID）：18A • 抗dv/dt能力：50V/ns • 100%雪崩測試 |
