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器件在4.5V下具有業(yè)內較低的13.5mΩ導通電阻，占位面積為2mm x 2mm和22mm x 3mm x 1.8mm Vishay推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU，擴充其TrenchFET Gen III系列P溝道功率MOSFET。兩款MOSFET具有小占位的特點，在4.5V下具有相應外形尺寸產(chǎn)品中最低的導通電阻。 12V SiA447DJ采用超小尺寸的PowerPAK SC-70封裝，在4.5V下的導通電阻為13.5mΩ，比最接近的同檔器件低12%，在2.5V、1.8V和1.5V下的導通電阻為19.4mΩ、35mΩ和71mΩ。30V Si5429DU是首款采用3mm x 1.8mm尺寸規(guī)格的Gen III P通道MOSFET，在4.5V下的導通電阻為22mΩ，比最接近的競爭器件低35%，在10V下具有業(yè)內較低的15mΩ導通電阻。 SiA447DJ和Si5429DU可以在智能手機、平板電腦和移動計算設備等便攜式電子產(chǎn)品的電源管理應用中用做電池管理或負載開關。MOSFET的小尺寸封裝可在這些產(chǎn)品中節(jié)約PCB空間，其低導通電阻能夠減少導通損耗，進而減少功耗并延長兩次充電間的電池壽命。MOSFET的低導通電阻還意味著負載開關上的電壓降更低，可防止有害的欠壓鎖定現(xiàn)象。 Si5429DU的電壓等級達到30V，可用于采用多芯鋰離子電池的終端產(chǎn)品，SiA447DJ可用在尺寸和更低導通電阻是關鍵考慮因素的場合。另外，SiA447DJ能夠在1.5V下導通，可與手持設備中常見的更低電壓的柵極驅動和更低的總線電壓配合工作，節(jié)省電平轉換電路的空間和尺寸。 SiA447DJ和Si5429DU進行了100%的Rg測試，符合RoHS，無鹵素。如果需要更多信息，以便為您的應用選擇合適的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。 新的SiA447DJ和Si5429DU TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。 |
