国产精品免费无遮挡无码永久视频-国产高潮视频在线观看-精品久久国产字幕高潮-国产精品99精品无码视亚

AI催生超大封裝需求,ASICs有望從CoWoS轉向EMIB技術

發布時間:2025-11-26 10:10    發布者:eechina
關鍵詞: 超大封裝 , ASICs , CoWoS , EMIB
來源:TrendForce集邦咨詢

根據TrendForce集邦咨詢最新研究,AI HPC(高效能運算)對異質整合的需求依賴先進封裝達成,其中的關鍵技術即是TSMC(臺積電)的CoWoS解決方案。然而,隨著云端服務業者(CSP)加速自研ASIC,為整合更多復雜功能的芯片,對封裝面積的需求不斷擴大,已有CSP開始考量從TSMC的CoWoS方案,轉向Intel(英特爾)的EMIB技術。

TrendForce集邦咨詢表示,CoWoS方案將主運算邏輯芯片、存儲器、I/O等不同功能的芯片,以中介層(Interposer)方式連結,并固定在基板上,目前已發展出CoWoS-S、CoWoS-R與CoWoS-L等技術。隨著NVIDIA(英偉達) Blackwell平臺2025年進入規模量產,目前市場需求已高度傾向內嵌硅中介層的CoWoS-L,NVIDIA下世代的Rubin亦將采用,并進一步推升光罩尺寸。

AI HPC需求旺盛導致CoWoS面臨產能短缺、光罩尺寸限制,以及價格高昂等問題。TrendForce集邦咨詢觀察,除了CoWoS多數產能長期由NVIDIA GPU占據、其他客戶遭排擠,封裝尺寸以及美國制造需求,也促使Google(谷歌)、Meta等北美CSP開始積極與Intel接洽EMIB解決方案。



TSMC挾技術優勢主導先進封裝前期市場,Intel以面積、成本優勢應戰

相較于CoWoS,EMIB擁有數項優勢:首先是結構簡化,EMIB舍棄昂貴且大面積的中介層,直接將芯片使用內嵌在載板的硅橋(Bridge)方式進行互連,簡化整體結構,相對于CoWoS良率更高。其次是熱膨脹系數(Coefficient of Thermal Expansion, CTE)問題較小,由于EMIB只在芯片邊緣嵌硅橋,整體硅比例低,因此硅與基板的接觸區域少,導致熱膨脹系數不匹配的問題較小,較不容易產生封裝翹曲與可靠度挑戰。

EMIB在封裝尺寸也較具優勢,相較于CoWoS-S僅能達到3.3倍光罩尺寸、CoWoS-L目前發展至3.5倍,預計在2027年達9倍;EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸,并預計2026到2027年可支援到8倍至12倍。價格部分,因EMIB舍棄價格高昂的中介層,能為AI客戶提供更具成本優勢的解決方案。

然而,EMIB技術也受限于硅橋面積與布線密度,可提供的互連帶寬相對較低、訊號傳輸距離較長,并有延遲性略高的問題。因此,目前僅ASIC客戶較積極在評估洽談導入。

TrendForce集邦咨詢指出,Intel自2021年宣布設立獨立的晶圓代工服務(Intel Foundry Services, IFS)事業群,耕耘EMIB先進封裝技術多年,已應用至自家Server CPU平臺Sapphire Rapids和Granite Rapids等。隨著Google決定在2027年TPUv9導入EMIB試用,Meta亦積極評估規劃用于其MTIA產品,EMIB技術有望為IFS業務帶來重大進展。至于NVIDIA、AMD(超威)等對于帶寬、傳輸速度及低延遲需求較高的GPU供應商,仍將以CoWoS為主要封裝解決方案。
本文地址:http://www.4huy16.com/thread-896127-1-1.html     【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布,目的在于傳遞和分享信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責;文章版權歸原作者及原出處所有,如涉及作品內容、版權和其它問題,我們將根據著作權人的要求,第一時間更正或刪除。
您需要登錄后才可以發表評論 登錄 | 立即注冊

廠商推薦

  • Microchip視頻專區
  • Microchip第22屆中國技術精英年會——采訪篇
  • 技術熱潮席卷三城,2025 Microchip中國技術精英年會圓滿收官!
  • 常見深度學習模型介紹及應用培訓教程
  • “芯”光璀璨,鵬城共賞——2025 Microchip中國技術精英年會深圳站回顧
  • 貿澤電子(Mouser)專區

相關視頻

關于我們  -  服務條款  -  使用指南  -  站點地圖  -  友情鏈接  -  聯系我們
電子工程網 © 版權所有   京ICP備16069177號 | 京公網安備11010502021702
快速回復 返回頂部 返回列表