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日前，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片領(lǐng)軍企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正式推出新一代DDR5內(nèi)存產(chǎn)品系列，以最高速率8000Mbps、最高單顆粒容量24Gb的核心性能指標(biāo)刷新國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片紀(jì)錄，技術(shù)參數(shù)全面對(duì)標(biāo)國(guó)際一線品牌。此次同步發(fā)布的七大模組產(chǎn)品矩陣，覆蓋服務(wù)器、工作站及個(gè)人電腦三大核心應(yīng)用場(chǎng)景，標(biāo)志著中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在高端市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵突破。 技術(shù)參數(shù)領(lǐng)跑全球 性能指標(biāo)比肩國(guó)際大廠 據(jù)官方披露，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR5系列產(chǎn)品采用16nm先進(jìn)制程工藝，通過創(chuàng)新電路設(shè)計(jì)與架構(gòu)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)最高速率8000Mbps的突破，較上一代DDR4提升60%以上，單顆粒容量最高達(dá)24Gb，較行業(yè)主流水平提升50%。該系列產(chǎn)品支持On-die ECC糾錯(cuò)、自適應(yīng)刷新率調(diào)節(jié)等前沿技術(shù)，在數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性與能效比方面達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)。經(jīng)第三方測(cè)試驗(yàn)證，其功耗較DDR4降低20%，在AI訓(xùn)練、大數(shù)據(jù)分析等高負(fù)載場(chǎng)景下性能優(yōu)勢(shì)顯著。 全場(chǎng)景產(chǎn)品矩陣落地 七大模組精準(zhǔn)卡位 針對(duì)差異化市場(chǎng)需求，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)同步推出七大DDR5模組產(chǎn)品：面向數(shù)據(jù)中心的高密度32GB/64GB RDIMM模組，支持多通道并行處理；針對(duì)工作站的32GB UDIMM模組，強(qiáng)化多任務(wù)處理能力；以及面向消費(fèi)端的8GB/16GB SODIMM模組，兼顧性能與成本。特別值得關(guān)注的是，其發(fā)布的32GB單條模組采用24Gb顆粒堆疊技術(shù)，為國(guó)產(chǎn)內(nèi)存首次實(shí)現(xiàn)單條容量突破，可顯著降低服務(wù)器內(nèi)存插槽占用率。 生態(tài)協(xié)同加速落地 國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈再進(jìn)一步 此次新品發(fā)布同步獲得產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)支持。聯(lián)想、華為、浪潮等頭部廠商已啟動(dòng)兼容性測(cè)試，預(yù)計(jì)第三季度進(jìn)入量產(chǎn)供貨階段。行業(yè)分析師指出，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DDR5系列產(chǎn)品的推出，不僅填補(bǔ)了國(guó)產(chǎn)高端存儲(chǔ)芯片的技術(shù)空白，更通過全場(chǎng)景覆蓋策略，為國(guó)內(nèi)服務(wù)器、PC廠商提供關(guān)鍵元器件自主可控解決方案。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce預(yù)測(cè)，隨著DDR5滲透率提升，2025年全球市場(chǎng)規(guī)模將突破120億美元，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)有望憑借技術(shù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)搶占15%以上市場(chǎng)份額。 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)研究院負(fù)責(zé)人表示，公司已啟動(dòng)下一代DDR6研發(fā)項(xiàng)目，計(jì)劃在速率突破10Gbps的同時(shí)，探索存算一體等前沿架構(gòu)。此次DDR5系列產(chǎn)品的規(guī)模化商用，將為中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)構(gòu)建從設(shè)計(jì)到制造的完整生態(tài)體系奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。 |
