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國際整流器公司 (IR) 推出行業首個商用集成功率級產品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉換器。 iP2010和iP2011集成了非常先進的超快速PowIRtune驅動器IC，并匹配一個多開關單片氮化鎵功率器件。這些器件貼裝在一個倒裝芯片封裝平臺上，可帶來比最先進的硅集成功率級器件更高的效率和超出雙倍的開關頻率。 iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍則為0.6V至5.5V，輸出電流高達30A。這個器件最高運行頻率為3MHz。在5MHz運行時，與iP2010引腳兼容的iP2011備有相同的輸入和輸出電壓范圍，但后者經過優化，從而使最高輸出電流高達20A。通過以通用占位面積提供多種電流額定值器件，IR提供的靈活性能夠滿足不同客戶對電流水平、性能和成本的要求。 這兩種器件采用細小占位面積的LGA封裝，為極低的功率損耗作出了優化，并提供高效率的雙面冷卻功能，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。 iP2010產品規格
iP2011產品規格
單頁的數據表已刊登在IR的網站 www.irf.com。IR也會向合格客戶提供完整的數據表、演示板和樣品。 GaNpowIR是一種革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術平臺，與最先進的硅技術平臺相比，能夠改善客戶主要特定應用的性能指數 (FOM) 高達10倍，可以顯著提高性能并節省能源消耗，目標市場包括計算和通信、汽車和家電等的終端應用。這款氮化鎵功率器件技術平臺是IR經過5年的時間，基于其專有硅上氮化鎵外延技術研究開發的成果。高生產量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設施，可為客戶提供世界級的商業可行的氮化鎵功率器件制造平臺。欲獲取更多資料，請瀏覽 http://www.irf.com/product-info/powir。 |
