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－三款新器件助力提升工業設備的效率和功率密度－ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 
三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封裝相比，可將器件體積銳減80%以上，并提升設備功率密度。 此外，TOLL封裝還具有比通孔封裝更小的寄生阻抗[2]，從而降低開關損耗。作為一款4引腳[3]封裝，支持對其柵極驅動的信號源端子進行開爾文連接。這減少封裝內部源極線電感的影響，實現高速開關性能；在TW048U65C的外殼中，與東芝現有產品[5]相比，其開通損耗降低約55%，關斷損耗降低約25%[4]，有助于降低設備功耗。 未來東芝將繼續擴大其SiC功率器件產品線，為提高設備效率和增加功率容量做出貢獻。 第3代SiC MOSFET封裝產品線
測量條件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部柵極電阻）＝4.7Ω 續流二極管采用各產品源極及漏極間的二極管。（東芝截至2025年8月的比較） 圖1：TO-247與TOLL封裝的導通損耗（Eon）和關斷損耗（Eoff）比較 應用： - 服務器、數據中心、通信設備等中的開關電源 - 電動汽車充電站 - 光伏逆變器 - 不間斷電源 特性： - 表面貼裝TOLL封裝，實現設備小型化和自動化組裝，低開關損耗 - 東芝第3代SiC MOSFET • 通過優化漂移電阻與溝道電阻比，實現漏源導通電阻的良好溫度依賴性 • 低漏源導通電阻×柵漏電荷 • 低二極管正向電壓：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V） 主要規格： （除非另有說明，Ta＝25°C）
注： [1] 截至2025年8月。 [2] 電阻、電感等。 [3] 一種信號源終端靠近FET芯片連接的產品。 [4] 截至2025年8月，東芝測量的值。請參考圖1。 [5] 采用TO-247封裝且無開爾文連接的、具有同等電壓和導通電阻的第3代650V SiC MOSFET 如需了解有關新產品的更多信息，請訪問以下網址： TW027U65C https://toshiba-semicon-storage. ... tail.TW027U65C.html TW048U65C https://toshiba-semicon-storage. ... tail.TW048U65C.html TW083U65C https://toshiba-semicon-storage. ... tail.TW083U65C.html 如需了解相關東芝SiC功率器件的更多信息，請訪問以下網址： SiC功率器件 https://toshiba-semicon-storage. ... semiconductors.html 如需了解相關新產品在線分銷商網站的供貨情況，請訪問以下網址： TW027U65C https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TW027U65C.html TW048U65C https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TW048U65C.html TW083U65C https://toshiba-semicon-storage. ... heck.TW083U65C.html | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
