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SK海力士今日宣布，已成功開發并啟動量產全球首款采用“High-K EMC”材料的移動DRAM產品，并開始向全球客戶批量供貨。這一突破性技術通過革新半導體封裝材料，將移動設備散熱效率提升至新高度，為端側AI（On-Device AI）時代的高性能計算需求提供關鍵解決方案。 技術突破：熱導率提升3.5倍，熱阻降低47% SK海力士此次推出的移動DRAM產品，核心創新在于封裝材料領域的突破。傳統DRAM封裝中使用的環氧模封料（EMC）以二氧化硅（Silica）為主要成分，而SK海力士通過引入氧化鋁（Alumina）復合材料，開發出新一代“High-K EMC”材料。該材料熱導率較傳統材料提升3.5倍，使垂直導熱路徑的熱阻降低47%，顯著優化了芯片內部的熱量傳導效率。 技術團隊負責人李圭濟副社長指出：“隨著端側AI模型在智能手機中普及，處理器與DRAM協同處理數據時產生的熱量積聚已成為性能瓶頸。通過材料創新，我們成功將熱量從DRAM核心區域快速導出，避免因過熱導致的算力衰減。” 行業痛點：PoP封裝結構下的散熱困局 當前旗艦級智能手機普遍采用PoP（Package on Package）封裝技術，將DRAM垂直堆疊于移動處理器上方。這種設計雖能節省空間并提升數據傳輸速率，但處理器產生的熱量會直接傳導至DRAM層，形成“熱島效應”。測試數據顯示，在連續運行大型AI模型時，傳統DRAM核心溫度可達75℃以上，導致系統主動降頻以保護硬件，性能損失最高達30%。 SK海力士的解決方案直擊這一痛點。第三方實驗室驗證表明，搭載High-K EMC材料的DRAM在相同工況下核心溫度降低12℃，系統降頻頻率減少80%，同時整機功耗下降7%。這一改進不僅延長了設備續航時間，更通過穩定算力輸出提升了AI應用的實時響應能力。 市場反響：全球客戶搶先部署 據供應鏈消息，三星、小米、OPPO等頭部手機廠商已將該產品納入下一代旗艦機型研發計劃。某國產手機品牌硬件總監透露：“我們正在測試搭載SK海力士新DRAM的原型機，在4K視頻渲染、多模態AI交互等高負載場景中，設備表面溫度較前代降低4℃，用戶握持體驗顯著改善。” 存儲芯片行業分析師指出，SK海力士此次技術迭代恰逢端側AI爆發窗口期。預計到2026年，全球智能手機AI算力需求將增長5倍，而散熱效率已成為制約計算性能的關鍵因素。“SK海力士通過材料科學突破，重新定義了移動DRAM的技術標準，有望在高端市場獲得20%以上的份額提升。” 戰略布局：鞏固新一代存儲技術領導地位 此次產品發布延續了SK海力士在先進制程與材料創新領域的雙重優勢。2021年，該公司率先量產第四代10納米級（1a）DRAM，并通過EUV光刻技術實現晶圓產能提升25%。此次High-K EMC材料的商業化，標志著其技術布局從制程微縮向材料科學深度拓展。 李圭濟強調：“我們正在構建‘制程-材料-架構’三位一體的創新體系。未來三年，SK海力士將投入1.2萬億韓元（約合62億元人民幣）研發新一代散熱材料，目標在2028年前將DRAM熱導率再提升2倍。” 隨著5G-A與6G網絡建設加速，端側AI設備對存儲性能的要求持續攀升。SK海力士的這次技術突破，不僅為移動計算產業提供了散熱解決方案，更預示著半導體材料創新將成為下一代電子設備競爭的核心賽道。 |
