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4月2日，意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）與硅基氮化鎵（GaN-on-Si）制造企業英諾賽科（Innoscience）共同宣布，雙方已簽署一項氮化鎵技術開發與制造協議。這一合作標志著雙方在氮化鎵功率技術領域將展開深入合作，共同推動該技術的創新與應用。 根據協議內容，意法半導體與英諾賽科將合作推進氮化鎵功率技術的聯合開發計劃。雙方將充分發揮各自在半導體領域的優勢，共同研發更高效、更可靠的氮化鎵功率器件，以滿足市場對高性能電源轉換、運動控制與驅動系統的需求。 此外，協議還規定了雙方在生產制造方面的合作。英諾賽科將能夠借助意法半導體在中國以外地區的前端制造產能，生產其氮化鎵晶圓。同時，意法半導體也將利用英諾賽科在中國的前端制造產能，生產其自有的氮化鎵晶圓。這種靈活的供應鏈布局將有效拓展雙方的氮化鎵產品組合和市場供應能力，提升供應鏈韌性。 意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS與傳感器產品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體與英諾賽科均為垂直整合器件制造商（IDM），此次合作將最大化發揮IDM這一模式的優勢，為全球客戶創造價值。我們期待通過此次合作，加速氮化鎵功率技術的部署，進一步完善現有的硅和碳化硅產品組合，并通過靈活的制造模式更好地服務于全球客戶。” 英諾賽科董事長兼創始人駱薇薇博士也對此次合作表示了高度期待。她指出：“氮化鎵技術對實現更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的電子系統至關重要。英諾賽科率先實現8英寸硅基氮化鎵晶圓量產，并已在多個領域取得顯著成果。我們非常期待與意法半導體的合作，共同推動氮化鎵技術的普及與應用，為全球客戶帶來更高性能、更可靠的解決方案。” |
