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在2025年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上，三星電子宣布推出LPDDR5規(guī)范的最新擴(kuò)展版本，將LPDDR5X內(nèi)存的傳輸速率從當(dāng)前10.7Gbps提升至12.7Gbps，再次刷新移動(dòng)內(nèi)存性能紀(jì)錄。這一突破性進(jìn)展得益于兩項(xiàng)專有電路級(jí)技術(shù)——“四相自校準(zhǔn)環(huán)路”和“AC耦合收發(fā)器均衡技術(shù)”，為下一代智能手機(jī)、AI邊緣計(jì)算及高性能計(jì)算設(shè)備提供更強(qiáng)支持。 技術(shù)突破與產(chǎn)品細(xì)節(jié) 三星此次推出的LPDDR5-Ultra-Pro DRAM芯片，采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的1.05V電壓，基于第五代10納米級(jí)DRAM工藝制造，容量為16Gb。通過(guò)四相自校準(zhǔn)技術(shù)，三星解決了高速傳輸中的時(shí)鐘相位偏差問(wèn)題，確保四個(gè)內(nèi)部時(shí)鐘相位（0°、90°、180°、270°）精確對(duì)齊，從而提升信號(hào)完整性。同時(shí)，AC耦合收發(fā)器均衡技術(shù)通過(guò)增強(qiáng)時(shí)鐘信號(hào)、平衡接收器并預(yù)加重發(fā)射器，進(jìn)一步優(yōu)化了高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆�(wěn)定性。 
在性能測(cè)試中，該芯片在12.7Gbps速率下仍能保持可靠運(yùn)行，且在0.9V低電壓下可穩(wěn)定支持10.7Gbps速率，展現(xiàn)了優(yōu)異的能效比。讀取和寫入裕量分別達(dá)到0.71和0.68單位間隔，信號(hào)完整性表現(xiàn)突出。 應(yīng)用場(chǎng)景與行業(yè)影響 三星表示，LPDDR5-Ultra-Pro DRAM將優(yōu)先應(yīng)用于AI、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）、虛擬現(xiàn)實(shí)（VR）及邊緣服務(wù)器領(lǐng)域。其高帶寬和低功耗特性，可顯著提升AI模型的推理速度，并支持高分辨率多媒體內(nèi)容的實(shí)時(shí)處理。此外，該技術(shù)還將為筆記本電腦、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備帶來(lái)更流暢的用戶體驗(yàn)和更長(zhǎng)續(xù)航。 未來(lái)展望 此次技術(shù)升級(jí)標(biāo)志著三星在LPDDR5X領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)地位。自2019年LPDDR5規(guī)范推出以來(lái)，三星已通過(guò)多次迭代將速率從6.4Gbps提升至12.7Gbps。隨著LPDDR5-Ultra-Pro DRAM的量產(chǎn)，預(yù)計(jì)2025年下半年相關(guān)產(chǎn)品將逐步上市，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈注入新動(dòng)能。 關(guān)于ISSCC 2025 國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）是全球半導(dǎo)體領(lǐng)域最具影響力的學(xué)術(shù)會(huì)議之一，2025年會(huì)議聚焦于低功耗、高性能計(jì)算及先進(jìn)封裝技術(shù)，三星此次發(fā)布進(jìn)一步鞏固了其在移動(dòng)內(nèi)存市場(chǎng)的優(yōu)勢(shì)地位。 |
