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近日，臺積電宣布其2納米（nm）先進制程工藝已成功進入試產階段，并取得了令人矚目的成果。據供應鏈消息透露，臺積電在新竹縣寶山工廠進行的2nm工藝試產工作中，良品率已超過60%。 此次試產的2nm工藝是臺積電在半導體制造技術領域的又一里程碑。相較于前代3nm制程，全新的2nm工藝在性能上預計將有10%至15%的提升，同時在保持同等性能的前提下，功耗可降低30%。這一顯著的進步得益于臺積電在晶體管架構、材料科學以及生產工藝等方面的持續創新和優化。 在半導體行業中，良品率是衡量芯片生產質量的重要指標之一，它直接決定了芯片的成本和供應穩定性。臺積電此次2nm工藝試產的良品率超過60%，這一數據不僅超出了公司內部預期目標，也遠超行業平均水平。這一高良品率不僅有助于降低生產成本，提升生產效率，更為臺積電在全球半導體市場的競爭力注入了強勁動力。 據了解，臺積電在2nm制程節點采用了先進的Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管架構，并結合了一系列創新技術，如NanoFlex等，為芯片設計人員提供了更多的設計靈活性。這些技術創新不僅提升了芯片的性能和功耗表現，還為現代CPU、GPU和SoC設計提供了更大容量的緩存，從而在處理大批量數據時能夠顯著提高數據處理速度。 臺積電表示，盡管目前2nm工藝仍處于試產初期階段，但一切都按計劃穩步進行。公司預計在未來一段時間內，將進一步提升良品率，并加快2nm產線的建設，以滿足市場對2nm工藝技術的強勁需求。根據臺積電的計劃，2nm工藝預計將于2025年下半年進入量產階段，客戶最快在2026年前就能收到首批采用2nm工藝制造的芯片。 |
