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近日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）在氧化鎵晶體生長領域取得了重大技術突破，成功生長出高質量的2英寸氧化鎵單晶。 據了解，鎵仁半導體此次的技術突破得益于其自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備，以及創新的垂直布里奇曼法（VB）晶體生長技術。傳統的氧化鎵晶體生長方法往往需要使用昂貴的銥坩堝，并且面臨高溫分解、坩堝腐蝕導致的晶體缺陷等難題。而鎵仁半導體采用的VB法則有效解決了這些問題，不僅無需使用銥坩堝，還能夠在空氣氣氛下生長單晶，有效抑制了氧化鎵的高溫分解，減少了晶體缺陷，提高了晶體質量。 此外，VB法還具有溫度梯度小、不需要控制晶體直徑等特點，使得晶體生長過程更加穩定可控，降低了技術難度。同時，鎵仁半導體的晶體生長設備還支持多種不同晶面的單晶氧化鎵生產，具備從2英寸升級至4英寸單晶的能力，為未來的科研和產業化提供了廣闊的空間。 鎵仁半導體的這一技術突破，不僅打破了西方國家在氧化鎵設備和材料領域的技術封鎖，更為我國的半導體產業發展注入了新的活力。隨著5G通信、人工智能、電動汽車等產業的快速發展，市場對高性能半導體材料的需求日益增加。氧化鎵作為一種新興的寬禁帶半導體材料，因其優異的電學性能和熱穩定性，在電力電子、射頻器件等領域具有廣闊的應用前景。 |
