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來源：大半導體產業網 據鎵仁半導體官微消息，今年2月，杭州鎵仁半導體有限公司聯合浙江大學杭州國際科創中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用自主開創的鑄造法成功制備了高質量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片，成為國內首個掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術的產業化公司。氧化鎵(β-Ga2O3) 是目前最受關注的超寬禁帶半導體材料之一，主要用于制備功率器件、射頻器件及探測器件。 據悉，鑄造法是由楊德仁院士團隊自主研發，用于生長氧化鎵單晶的新型熔體法技術。2022年5月，團隊采用鑄造法成功生長出2英寸氧化鎵單晶。隨后由杭州鎵仁半導體持續迭代、不斷創新，于2023年5月成功生長出4英寸氧化鎵單晶。2024年2月就突破了6英寸氧化鎵單晶的生長，并實現小批量生產。 鑄造法具有以下顯著優勢：第一，鑄造法成本低，由于貴金屬Ir的用量及損耗相比其他方法大幅減少，成本顯著降低；第二，鑄造法簡單可控，其工藝流程短、效率高、尺寸易放大；第三，鑄造法擁有完全自主知識產權，中國和美國專利已授權，為突破國外技術壟斷，實現國產化替代奠定堅實基礎。 |
