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近日，臺積電在其官方發布會上宣布，隨著2nm工藝技術的不斷突破和量產計劃的推進，每片300mm的2nm晶圓價格預計將超過3萬美元大關。這一價格相較于目前市場上的4/5nm晶圓（價格區間約為1.5到1.6萬美元）和3nm晶圓（價格區間約為1.85萬至2萬美元）而言，漲幅顯著。 臺積電在2nm制程節點上取得了重大突破，首次引入了Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術，并結合了NanoFlex技術，為芯片設計人員提供了前所未有的標準元件靈活性。相較于當前的N3E工藝，N2工藝預計將在相同功率下實現10%至15%的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。更令人矚目的是，晶體管密度將提升15%，這標志著臺積電在半導體技術領域的又一次飛躍。 然而，伴隨著技術的升級，成本也相應攀升。據臺積電透露，新工藝的引入意味著更多的EUV光刻步驟，甚至可能采用雙重曝光技術，這無疑將進一步提升生產成本。此外，先進工藝研發費用不斷增加，涉及IP授權、軟件驗證、設計架構等多個環節，這些成本最終都反映在了晶圓的價格上。 面對市場對2nm工藝技術的強烈需求，臺積電正不斷加大對該制程節點的投資力度。2nm晶圓廠將在中國臺灣的北部（新竹寶山）、中部（臺中中科）和南部（高雄楠梓）三地布局，以確保產能滿足市場需求。臺積電已規劃N2工藝于2025年下半年正式進入批量生產階段，預計客戶最快可在2026年前收到首批采用N2工藝制造的芯片。 |
