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飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現為手機和其它超便攜應用的設計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關解決方案的需求。 FDMA905P和FDME905PT是具有低導通阻抗的MOSFET，這些器件具有出色的散熱性能和小占位尺寸，也非常適合線性模式應用。要了解更多的信息或訂購樣品，請訪問公司網頁：http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA905P.html, http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME905PT.html 
特性和優勢 FDMA905P: • 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封裝，器件高度 – 最大0.8mm • 確保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16mΩ at VGS = -4.5V, ID = -10A) • 具有出色的散熱性能(RΘJA = 52 ℃/W) FDME905PT: • 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封裝，器件高度 – 最大0.55mm • 確保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22mΩ at VGS = -4.5V, ID = -8A) • 具有出色的散熱性能(RΘJA = 60 ℃/W) FDMA905P和FDME905PT不含鹵化物和氧化銻，滿足RoHS標準的要求。兩款器件均可在低電壓下安全運作，適用于手機和超便攜設備。 價格：訂購1,000個 FDMA905P 每個0.29美元 FDME905PT 每個0.26美元 供貨: 按請求提供樣品 交貨期: 收到訂單后8至12周內 產品的 PDF 格式數據表可從此網址獲�。� http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA905P.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME905PT.pdf |
