|
來源：EXPreview 此前三星公布了到2027年的制程技術路線圖，列出了2022年6月量產SF3E（3nm GAA，3GAE）以后的半導體工藝發展計劃，包括SF3（3GAP）、SF3P（3GAP+）、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。三星計劃今年帶來第二代3nm工藝，也就是SF3，傳聞已經在試產。不過此前也有消息人士稱，三星打算將第二代3nm工藝將改為2nm工藝。 
據Business Korea報道，三星將在今年6月16日至20日舉行的“VLSI Symposium 2024”上發表一篇關于2nm（SF2）工藝中應用第三代GAA（Gate-All-Around）晶體管工藝技術特性的論文，并帶來更多關鍵細節。 三星稱，新工藝將進一步完善多橋-通道場效應晶體管（MBCFET）架構，具有獨特的外延和集成工藝。與基于FinFET的工藝技術相比，晶體管性能提升了11%至46%，可變性降低26%，同時漏電降低約50%。按照三星的規劃，SF2的技術開發工作將于2024年第二季度完成，屆時其芯片合作伙伴將可以選擇在該制程節點設計產品。 三星的努力不僅僅在突破技術界限上，過去一段時間里正不斷加強2nm工藝生態系統的建設，已經擁有50多個合作伙伴。今年2月，三星宣布與Arm展開合作，提供基于最新的GAA晶體管技術，優化下一代Arm Cortex-X/Cortex-A CPU內核，盡可能地提高了性能和效率，以將用戶體驗提升到一個新的水平。 與此同時，三星還計劃推出第三代3nm工藝，繼續提高密度并降低功耗，另外還需要繼續提升良品率。三星初代3nm工藝很難說得上成功，傳聞早期的良品率僅為20%，主要用于生產加密貨幣使用的芯片，缺乏大客戶的訂單支持。 |
