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震后晶圓代工、內存產能最新情況追蹤

發布時間:2024-4-7 09:19    發布者:eechina
關鍵詞: 晶圓代工 , 內存
來源:TrendForce集邦咨詢

針對403震后各半導體廠動態更新,由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級的區域,加上臺灣地區的半導體工廠多以高規格興建,內部的減震措施都是世界頂尖水平,多半可以減震1至2級。以本次的震度來看,幾乎都是停機檢查后,迅速復工進行,縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管,導致在線晶圓破片或是毀損報廢,但由于目前成熟制程廠區產能利用率平均皆在50~80%,故損失大多可以在復工后迅速將產能補齊,產能損耗算是影響輕微。

DRAM方面,以位于新北的南亞科(Nanya)Fab3A有影響,美光(Micron)林口廠生產營運和供應鏈影響程度則仍在評估中。南亞科該廠區主責20/30nm制程的產品,最新制程1Bnm正在開發中;美光林口廠與臺中廠為DRAM重要生產基地,內部系統已將二個廠區合而為一,目前已有最新1beta nm制程的投片,后續也將有HBM在臺灣地區生產,仍需數日時間完全恢復運作,其余廠區多半在停機檢查后陸續復工。力積電(PSMC)、華邦電 (Winbond)等均無恙。

晶圓代工方面,臺積電(TSMC)包含Fab2/3/5/8等多座六英寸及八英寸廠、研發總部Fab12,以及最新的Fab20寶山工廠均位在震度4級的新竹。其中,僅Fab12因水管破裂造成部分機臺進水,主要影響在尚未量產的2nm制程,因此評估短期營運不受影響,但可能因機臺受潮需要新購機臺,造成資本支出小幅度增加。其余廠區在停機檢查后已陸續復工,暫無重大災損,而其余廠區個別有人員疏散或執行停機檢查,現均已陸續恢復運作。

目前產能利用率較高的臺積電5/4/3nm先進制程廠區,未進行人員疏散,停機檢查已在震后6~8小時恢復90%以上運作,影響仍在可控范圍。CoWoS廠區方面,目前主要運作廠區龍潭AP3及竹南AP6,事發當下立即進行人員疏散,停機檢查后發現廠務冰水主機有水損問題,但廠務系統多有備援設施,評估不影響運作,已陸續復工。

此外,聯電(UMC)一座六英寸廠及六座八英寸廠均位在新竹,另有一座十二英寸廠位在臺南,以90~22nm量產為主;力積電(PSMC)包含十二英寸DRAM與八英寸、十二英寸Foundry皆位在新竹苗栗一帶,其中DRAM以25/21nm制程利基型產品為主;世界先進(Vanguard)共三座八英寸廠位于新竹,一座八英寸廠位于桃園。上述廠區多半在人員疏散、短暫停機檢查后陸續恢復運作。
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