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震后晶圓代工、內(nèi)存產(chǎn)能最新情況追蹤

發(fā)布時(shí)間:2024-4-7 09:19    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 晶圓代工 , 內(nèi)存
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針對(duì)403震后各半導(dǎo)體廠動(dòng)態(tài)更新,由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級(jí)的區(qū)域,加上臺(tái)灣地區(qū)的半導(dǎo)體工廠多以高規(guī)格興建,內(nèi)部的減震措施都是世界頂尖水平,多半可以減震1至2級(jí)。以本次的震度來(lái)看,幾乎都是停機(jī)檢查后,迅速?gòu)?fù)工進(jìn)行,縱使有因?yàn)榫o急停機(jī)或地震損壞爐管,導(dǎo)致在線晶圓破片或是毀損報(bào)廢,但由于目前成熟制程廠區(qū)產(chǎn)能利用率平均皆在50~80%,故損失大多可以在復(fù)工后迅速將產(chǎn)能補(bǔ)齊,產(chǎn)能損耗算是影響輕微。

DRAM方面,以位于新北的南亞科(Nanya)Fab3A有影響,美光(Micron)林口廠生產(chǎn)營(yíng)運(yùn)和供應(yīng)鏈影響程度則仍在評(píng)估中。南亞科該廠區(qū)主責(zé)20/30nm制程的產(chǎn)品,最新制程1Bnm正在開發(fā)中;美光林口廠與臺(tái)中廠為DRAM重要生產(chǎn)基地,內(nèi)部系統(tǒng)已將二個(gè)廠區(qū)合而為一,目前已有最新1beta nm制程的投片,后續(xù)也將有HBM在臺(tái)灣地區(qū)生產(chǎn),仍需數(shù)日時(shí)間完全恢復(fù)運(yùn)作,其余廠區(qū)多半在停機(jī)檢查后陸續(xù)復(fù)工。力積電(PSMC)、華邦電 (Winbond)等均無(wú)恙。

晶圓代工方面,臺(tái)積電(TSMC)包含F(xiàn)ab2/3/5/8等多座六英寸及八英寸廠、研發(fā)總部Fab12,以及最新的Fab20寶山工廠均位在震度4級(jí)的新竹。其中,僅Fab12因水管破裂造成部分機(jī)臺(tái)進(jìn)水,主要影響在尚未量產(chǎn)的2nm制程,因此評(píng)估短期營(yíng)運(yùn)不受影響,但可能因機(jī)臺(tái)受潮需要新購(gòu)機(jī)臺(tái),造成資本支出小幅度增加。其余廠區(qū)在停機(jī)檢查后已陸續(xù)復(fù)工,暫無(wú)重大災(zāi)損,而其余廠區(qū)個(gè)別有人員疏散或執(zhí)行停機(jī)檢查,現(xiàn)均已陸續(xù)恢復(fù)運(yùn)作。

目前產(chǎn)能利用率較高的臺(tái)積電5/4/3nm先進(jìn)制程廠區(qū),未進(jìn)行人員疏散,停機(jī)檢查已在震后6~8小時(shí)恢復(fù)90%以上運(yùn)作,影響仍在可控范圍。CoWoS廠區(qū)方面,目前主要運(yùn)作廠區(qū)龍?zhí)禔P3及竹南AP6,事發(fā)當(dāng)下立即進(jìn)行人員疏散,停機(jī)檢查后發(fā)現(xiàn)廠務(wù)冰水主機(jī)有水損問(wèn)題,但廠務(wù)系統(tǒng)多有備援設(shè)施,評(píng)估不影響運(yùn)作,已陸續(xù)復(fù)工。

此外,聯(lián)電(UMC)一座六英寸廠及六座八英寸廠均位在新竹,另有一座十二英寸廠位在臺(tái)南,以90~22nm量產(chǎn)為主;力積電(PSMC)包含十二英寸DRAM與八英寸、十二英寸Foundry皆位在新竹苗栗一帶,其中DRAM以25/21nm制程利基型產(chǎn)品為主;世界先進(jìn)(Vanguard)共三座八英寸廠位于新竹,一座八英寸廠位于桃園。上述廠區(qū)多半在人員疏散、短暫停機(jī)檢查后陸續(xù)恢復(fù)運(yùn)作。
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